Квантовая литография - Quantum lithography

Квантовая литография это тип фотолитография, который использует неклассические свойства фотонов, такие как квантовая запутанность, чтобы добиться превосходных характеристик по сравнению с обычной классической литографией. Квантовая литография тесно связана с областями квантовое изображение, квантовая метрология, и квантовое зондирование. Эффект использует квантово-механическое состояние света, называемое ПОЛДЕНЬ состояние. Квантовая литография была изобретена в Джонатан П. Доулинг группа в JPL,[1] и был изучен рядом групп.[2]

Особенно важно, что квантовая литография может превзойти классическую Критерий Рэлея для дифракция предел. Классический фотолитография имеет оптическое изображение разрешение, которое не может быть меньше длины волны используемого света. Например, при использовании фотолитография Для массового производства компьютерных микросхем желательно производить все меньшие и меньшие элементы на микросхеме, что обычно требует перехода на все меньшие и меньшие длины волн (ультрафиолет и рентгеновские лучи), что влечет за собой экспоненциально более высокие затраты на производство систем оптической визуализации в этих чрезвычайно короткие оптические волны.

Квантовая литография использует квантовая запутанность между специально подготовленными фотонами в ПОЛДЕНЬ состояние и специальные фоторезисты, которые отображают процессы многофотонного поглощения для достижения меньшего разрешения без необходимости использования более коротких длин волн. Например, луч красных фотонов, запутанных по 50 за раз в состоянии ПОЛДЕНЬ, будет иметь такую ​​же разрешающую способность, что и луч рентгеновских фотонов.

Область квантовой литографии находится в зачаточном состоянии, и хотя экспериментальные доказательства принципа были выполнены с использованием Эффект Хонга – Оу – Манделя,[3] до практического использования еще далеко.

Рекомендации

  1. ^ A. N. Boto et al. (2000). «Квантовая интерферометрическая оптическая литография: использование запутанности для преодоления дифракционного предела». Phys. Rev. Lett. 85: 2733. arXiv:Quant-ph / 9912052. Дои:10.1103 / PhysRevLett.85.2733.CS1 maint: использует параметр авторов (связь)
  2. ^ G. Björk et al. (2001). "Литография запутанных состояний: адаптация любого рисунка к одному состоянию". Phys. Rev. Lett. 86: 4516. arXiv:Quant-ph / 0011075. Дои:10.1103 / PhysRevLett.86.4516.CS1 maint: использует параметр авторов (связь)
  3. ^ М. Д'Анджело; и другие. (2001). «Двухфотонная дифракция и квантовая литография». Phys. Rev. Lett. 87: 013602. arXiv:Quant-ph / 0103035. Дои:10.1103 / PhysRevLett.87.013602.

внешняя ссылка