Обратный ток утечки - Reverse leakage current

Обратный ток утечки в полупроводник устройство Текущий от этого полупроводникового устройства, когда устройство обратный смещенный.

Когда полупроводник устройство обратный смещенный он не должен проводить никаких Текущий однако из-за повышенного барьерного потенциала свободные электроны на стороне p притягиваются к положительному выводу батареи, а дырки на стороне n притягиваются к отрицательному выводу батареи. Это создает ток неосновных носителей заряда и, следовательно, его величина очень мала. При постоянных температурах обратный ток почти постоянен, хотя приложенное обратное напряжение увеличивается до определенного предела. Следовательно, его также называют обратным током насыщения.

Этот термин особенно применим в основном к полупроводниковым переходам, особенно диоды и тиристоры.

Обратный ток утечки также известен как «ток стока с нулевым затвором» в полевых МОП-транзисторах. Ток утечки увеличивается с ростом температуры. Например, Fairchild Semiconductor FDV303N имеет обратную утечку до 1 микроампер при комнатной температуре, повышающуюся до 10 микроампер с температурой перехода 50 градусов Цельсия. Для всех основных целей токи утечки очень малы и, следовательно, обычно незначительный.