Сейичи Аритоме - Википедия - Seiichi Aritome
 | Этот биография живого человека требует дополнительных цитаты за проверка. (Декабрь 2019 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) |
Сейичи Аритоме от SK Hynix Inc., Кенги-до, Южная Корея был назван Сотрудник Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE) в 2014 г. за вклад в флэш-память технологии.[1]
Аритоме получил степень магистра и доктора философии. степени Высшей школы Хиросимский университет в Хиросиме, Япония, в 1985 и 2013 годах соответственно. После получения M.E. он присоединился к Toshiba а затем работал на Микронная технология в 2003 г. и Powerchip в 2007 году. Затем он присоединился к SK Hynix Inc, где в течение последних 25 лет он отвечал за развитие NAND flash микросхемы памяти. На его имя Аритоме зарегистрировано более 280 патентов США и 50 статей. Он является членом IEEE Electron Devices Society.[2]
Рекомендации
- ^ «23 члена EDS избраны в категорию стипендиатов IEEE с 1 января 2014 года» (PDF). EDS IEEE. Получено 2019-12-31.
- ^ "Сэйичи Аритомэ". IEEE. Получено 2019-12-31.
   | Эта статья о южнокорейском ученом - заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это. |
 | Эта статья об инженере, изобретателе или промышленном дизайнере - заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это. |