Стэнли Шенфилд - Stanley Shanfield

Стэнли Шенфилд
ИзвестенИзготовление полупроводниковых приборов и оптическая электроника
Научная карьера
ПоляФизика
УчрежденияЛаборатория Чарльза Старка Дрейпера

Стэнли Шенфилд является почетным членом технического персонала и техническим директором по передовым разработкам оборудования в Лаборатория Чарльза Старка Дрейпера в Кембридже, штат Массачусетс, этот пост он занимает с 2003 года. Он является держателем семи патентов и руководил группами, ответственными за изобретение и производство новых технологий в областях изготовление полупроводниковых приборов и оптическая электроника.[1]

Профессиональная биография

После окончания Калифорнийского университета в Ирвине, где он получил степень бакалавра наук В 1977 году Стэнли Шенфилд получил степень доктора физики в Массачусетском технологическом институте (PhD, 1981).

Получив диплом физика, он стал штатным научным сотрудником, а затем старшим научным сотрудником корпорации Spire Corporation из Бедфорда, штат Массачусетс, производителя возобновляемых источников энергии. фотогальваника (1981–1984). В 1985 году он присоединился к Raytheon Corporation, проработав семь лет в качестве менеджера отдела в Полупроводники. Его работа там была сосредоточена в первую очередь на разработке интегральных схем. В 1992 году он был назначен заведующим лабораторией, где руководил изобретением псевдоморфного транзистора с высокой подвижностью электронов. В 1996 году он стал менеджером по производству полупроводников и занимал эту должность в течение трех лет, прежде чем два года проработал вице-президентом по операциям в AXSUN Technologies из Бедфорда, штат Массачусетс. Там он руководил разработкой и производством микроэлектромеханического (MEM) оптического фильтра Фабри-Перо. В результате этой работы доктор Шэнфилд получил патенты на обработку полупроводников и управляющую электронику. В 2001 году он присоединился к Clarendon Photonics (Ньютон, Массачусетс) в качестве директора по упаковке и интеграции и занимал эту должность до 2003 года. Там он изобрел новую полупроводниковую технологию для оптических мультиплексоров ввода-вывода. Его исследования в Draper Labs, где он начал работу в 2003 году, привели к изобретению сверхминиатюрной технологии производства электроники, недавно разработанной прецизионной MEMS-технологии.[2] гироскоп и связанный с ним ASIC (специализированная интегральная схема ), разработка миниатюрного источника питания, а также технология и производственный процесс для генератора с низким фазовым шумом на основе полупроводников. В настоящее время он консультирует по всему миру в качестве эксперта по этим вопросам через Rubin / Anders Scientific, Inc.[3]

Награды и отличия

Карьера доктора Шенфилда в бакалавриате и аспирантуре была отмечена несколькими отличиями. Помимо учебы в колледже на условиях полной стипендии, получения диплома с отличием и избрания в Пхи Бета Каппа, он выиграл престижную U.C. Премия Риджентс за выдающийся исследовательский проект (1975).[4]

Публикации

  • Шенфилд, С. (1984). «Характеристика процесса плазменного осаждения PSG и BPSG». Журнал Электрохимического общества. Электрохимическое общество. 131 (9): 2202–2203. Дои:10.1149/1.2116051. ISSN  0013-4651.
  • Huang, J.C .; Saledas, P .; Wendler, J .; Platzker, A .; Boulais, W .; и другие. (1993). "Двусторонняя Al0.24GaAs / In0.16GaAs псевдоморфный HEMT для приложений мощности Ka- и Q-диапазонов ». Письма об электронных устройствах IEEE. 14 (9): 456–458. Дои:10.1109/55.244708. ISSN  0741-3106.
  • Шенфилд, С. (1989). «Формирование толстых металлических структур на GaAs MMIC с использованием литографии с обращением изображения и осаждения испаренного металла». Журнал Электрохимического общества. Электрохимическое общество. 136 (9): 2687–2690. Дои:10.1149/1.2097552. ISSN  0013-4651.
  • Травление контактных отверстий в системе гексагонального реактивного ионного травления с фиксацией нагрузки J. Electrochem. Soc., Vol. 131, № 8, 1984 г.[требуется полная цитата ]
  • Huang, J.C .; Джексон, Г.С.; Shanfield, S .; Platzker, A .; Saledas, P.K .; Вейхерт, К. (1993). «Псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов AlGaAs / InGaAs с улучшенным напряжением пробоя для силовых приложений в X- и Ku-диапазонах». Протоколы IEEE по теории и методам микроволнового излучения. 41 (5): 752–759. Bibcode:1993ITMTT..41..752H. Дои:10.1109/22.234507. ISSN  0018-9480.
  • Вызванная горячими электронами деградация полевых транзисторов металл-полупроводник Симпозиум по GaAs-интегральным схемам, 1994. Technical Digest, 1994., 16th Annual Volume, Issue, 16–19 October 1994, pp. 259–262
  • Shanfield, S .; Вольфсон, Р. (1983). «Ионно-лучевой синтез кубического нитрида бора». Журнал вакуумной науки и технологий A: вакуум, поверхности и пленки. Американское вакуумное общество. 1 (2): 323–325. Bibcode:1983JVSTA ... 1..323S. Дои:10.1116/1.572124. ISSN  0734-2101.

Патенты

Патент США 5223458 - Пассивирующий слой и процесс для полупроводниковых устройств. [1] Метод покрытия полупроводниковых устройств, предотвращающий параметрический сдвиг электрических характеристик. Решена проблема обработки ключей.

Патент США 4440108 - Устройство для ионно-лучевого осаждения [2] Разработка оборудования для нанесения тонких пленок при ионной бомбардировке. Система производила тонкие пленки, представляющие интерес по механическим, электрическим и оптическим свойствам, и продавалась как оборудование.

Патент США 6525880 - Встроенный настраиваемый фильтр Фабри-Перо и способ его изготовления. [3] Конструкция и способ изготовления очень маленького высокоэффективного регулируемого оптического фильтра с использованием технологии изготовления полупроводников. В настоящее время используется в волоконно-оптических сетях, химических датчиках и приложениях для трехмерной медицинской визуализации.

Патент США 4440108 - Пленки из нитрида бора и способ их изготовления. [4] Ионное осаждение сверхтвердых пленок кубического нитрида бора для полупроводников и станков. Значительное использование в обеих областях.

Патент США 4526673 - Метод покрытия. [5] Метод нанесения тонких пленок, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов. Метод, основанный на прямом контроле кинетики осаждения тонких пленок.

Заявка на патент США 2007/00254411 - Системы и методы для многокомпонентных модулей высокой плотности Метод изготовления электронных модулей с использованием нескольких тонких интегральных схем, многоуровневых межсоединений с рисунком, пассивных электронных компонентов и датчиков.

Заявка на патент США 2009 / TBD - Устройства, системы и методы для управления температурой резонансных элементов Устройства и системы для достижения низкого фазового шума кварцевых генераторов с использованием уникальных термоэлектрических структур малой мощности

Рекомендации

  1. ^ https://www.scribd.com/doc/22373808/Stanley-Shanfield-CV-Expert-in-Semiconductor-Hardware-and-Optical-Electronics
  2. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 13 января 2010 г.. Получено 30 декабря 2009.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  3. ^ http://shanfield.rascientic.com[постоянная мертвая ссылка ]
  4. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 10 июня 2010 г.. Получено 30 декабря 2009.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)