Дзюн-ичи Нисидзава - Википедия - Jun-ichi Nishizawa

Дзюн-ичи Нисидзава
西澤 潤 一
Родившийся12 сентября 1926 г.
Сендай, Префектура Мияги, Япония
Умер21 октября 2018 г.(2018-10-21) (92 года)
Сендай, префектура Мияги, Япония
Национальность Япония
Альма-матерУниверситет Тохоку
НаградыМедаль IEEE Эдисона (2000)
Орден Культуры
Научная карьера
УчрежденияУниверситет Тохоку
Университет префектуры Иватэ
Токийский столичный университет
Софийский университет
Слои PIN-диода. (+ -)
В ПИН-фотодиод был изобретен Дзюн-ичи Нисидзава в 1950 году.

Дзюн-ичи Нисидзава (西澤 潤 一, Нисидзава Дзюнъити, 12 сентября 1926 - 21 октября 2018)[1] был японским инженером и изобретателем. Он известен своим электронный изобретения с 1950-х годов, в том числе PIN-диод, транзистор статической индукции, тиристор статической индукции, полупроводниковый лазер, Сидеть / сидеть, и волоконно-оптическая связь. Его изобретения способствовали развитию Интернет технологии и информационный век.[2]

Он был профессором в Софийский университет. Его считают «отцом японской микроэлектроники».

биография

Нисидзава родился в Сендай, Япония, 12 сентября 1926 года. Он получил степень бакалавра наук. в 1948 г., доктор технических наук в 1960 г. Университет Тохоку.

В 1953 году он присоединился к Исследовательскому институту электросвязи при университете Тохоку, где стал профессором и был назначен директором двух исследовательских институтов. С 1990 по 1996 год Нисидзава был президентом Университета Тохоку.

Он стал президентом Университет префектуры Иватэ в 1998 г.

Исследование

В 1950 году Дзюн-ичи Нисидзава и Ю. Ватанабэ изобрели транзистор статической индукции.[3] В ПИН-фотодиод также был изобретен Нисидзавой и его коллегами в 1950 году.[4]

В 1952 году он изобрел лавинный фотодиод.[5] Затем он изобрел твердое состояние мазер в 1955 г.,[5] за которым последовало его изобретение полупроводниковый лазер в 1957 г.[5][6]

Во время работы в Университет Тохоку, он предложил волоконно-оптическая связь, использование оптические волокна за оптическая связь, в 1963 году.[7] Нисидзава изобрел в 1960-х годах другие технологии, которые способствовали развитию волоконно-оптической связи, такие как оптическое волокно с градиентным коэффициентом преломления как канал передачи света от полупроводниковых лазеров.[8][9] Он запатентовал оптическое волокно с градиентным коэффициентом преломления в 1964 году.[6]

В 1971 году он изобрел тиристор статической индукции.[5][10]

Признание

Нисидзава был пожизненным членом IEEE. Он является членом нескольких других организаций, в том числе Физическое общество, то Российская Академия Наук, а Польская Академия Наук. Нисидзава был украшен Орден Культуры Императором Японии в 1989 году.[11] Он также получил Приз Японской академии (1974),[11] Премия Джека А. Мортона IEEE (1983),[12] премию Хонды и премию Лаудиса Международной организации по выращиванию кристаллов (1989).[13]IEEE присвоил Медаль Эдисона на него в 2000 году,[14] и представил Медаль IEEE Jun-ichi Nishizawa в 2002.[15] На его имя зарегистрировано более тысячи патентов.[1]

Рекомендации

  1. ^ а б «Бывший президент Tohoku U. Дзюнъити Нисидзава, известный как« Мистер Полупроводник », умер в возрасте 92 лет». Майнити. 26 октября 2018 г.. Получено 15 января, 2019.
  2. ^ Третья промышленная революция произошла в Сендае, Международное патентное бюро Soh-VEHE, Японская ассоциация патентных поверенных
  3. ^ Маккласки, Ф. Патрик; Подлесак, Томас; Grzybowski, Ричард, ред. (1996). Высокотемпературная электроника (иллюстрированный ред.). CRC Press. п. 82. ISBN  9780849396236.
  4. ^ Даммер, Г. В. А. (2013). Электронные изобретения и открытия: электроника от зарождения до наших дней (3-е, исправленное изд.). Эльзевир. п. 137. ISBN  9781483145211.
  5. ^ а б c d Дзюн-ичи Нисидзава: инженер, специальный профессор Софийского университета (опрос), Обзор качества Японии, 2011.
  6. ^ а б Третья промышленная революция произошла в Сендае, Международное патентное бюро Soh-VEHE, Японская ассоциация патентных поверенных
  7. ^ Нисидзава, Дзюн-ичи и Суто, Кен (2004). «Генерация терагерцовых волн и усиление света с использованием рамановского эффекта». В Бхате, К. Н. и Дас Гупта, Амитава (ред.). Физика полупроводниковых приборов. Нью-Дели, Индия: Издательство Нароса. п. 27. ISBN  81-7319-567-6.
  8. ^ "Оптоволокно". Сендай Новый. Архивировано из оригинал 29 сентября 2009 г.. Получено 5 апреля, 2009.
  9. ^ Коваленко, Кэти (1 июня 2003 г.). «Новая медаль награждает японского лидера индустрии микроэлектроники». Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике. Архивировано из оригинал 15 сентября 2009 г.[требуется проверка ]
  10. ^ Даммер, Г. В. А. (2013). Электронные изобретения и открытия: электроника от зарождения до наших дней (3-е, перераб.). Эльзевир. п. 231. ISBN  9781483145211.
  11. ^ а б «Призеры» (PDF). Университет Тохоку.
  12. ^ «Получатели премии IEEE Jack A. Morton Award» (PDF). IEEE. Получено 15 января, 2019.
  13. ^ «Призы». Международная организация по выращиванию кристаллов. Получено 15 января, 2019.
  14. ^ «Получатели медали IEEE Эдисона» (PDF). IEEE.
  15. ^ «Медаль IEEE Дзюн-ичи Нисидзава». IEEE. Получено 15 января, 2019.

внешняя ссылка