MESFET - MESFET

Схема MESFET

А MESFET (полевой транзистор металл – полупроводник) это полевой транзистор полупроводниковый прибор, похожий на JFET с Шоттки (металл –полупроводник ) стык вместо p – n переход для ворота.

Строительство

MESFET обычно строятся на основе сложных полупроводниковых технологий, в которых отсутствует высококачественная пассивация поверхности, например арсенид галлия, фосфид индия, или же Карбид кремния, и они быстрее, но дороже, чем кремниевые JFET-транзисторы или же МОП-транзисторы. Производственные MESFET работают на частотах примерно до 45 ГГц,[1] и обычно используются для микроволновая печь частота коммуникации и радар. Первые MESFET были разработаны в 1966 году, а год спустя их чрезвычайно высокая частота РФ Были продемонстрированы микроволновые характеристики.[2]

Функциональная архитектура

MESFET, как и JFET, отличается от обычного изолированного затвора. FET или MOSFET в том, что под затвором над активной областью переключения нет изолятора. Это означает, что затвор MESFET в транзисторном режиме должен быть смещен таким образом, чтобы иметь зону обеднения с обратным смещением, управляющую нижележащим каналом, а не прямопроводящий металл-полупроводниковый диод к каналу.[нужна цитата ]

Хотя это ограничение ограничивает определенные возможности схемы, поскольку затвор должен оставаться с обратным смещением и, следовательно, не может превышать определенное напряжение прямого смещения, аналоговые и цифровые устройства MESFET работают достаточно хорошо, если они находятся в рамках проектных ограничений. Наиболее важным аспектом конструкции является протяженность металла затвора в области переключения. Как правило, чем уже канал несущей, модулированный затвором, тем лучше в целом возможности обработки частоты. Расстояние между истоком и стоком относительно затвора, а также поперечная протяженность затвора являются важными, хотя и несколько менее важными параметрами конструкции. Возможности управления током MESFET улучшаются по мере того, как затвор удлиняется в поперечном направлении, сохраняя постоянную активную область, однако ограничивается сдвигом фазы вдоль затвора из-за эффекта линии передачи. В результате в большинстве производимых полевых MESFET-транзисторов на затворе используется наплавленный верхний слой металла с низким сопротивлением, часто образующий грибовидный профиль в поперечном сечении.[нужна цитата ]

Приложения

Были исследованы многочисленные возможности изготовления MESFET для самых разных полупроводниковых систем. Некоторые из основных областей применения: военная связь, как входной малошумящий усилитель микроволновых приемников в военных радар устройства и связь, коммерческие оптоэлектроника, спутниковая связь, как усилитель мощности для выходного каскада СВЧ-линий и как генератор мощности.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ Lepkowski, W .; Wilk, S.J .; Торнтон, Т.Дж. (2009), "Кремниевые MESFET 45 ГГц на КМОП-матрице 0,15 мкм", Конференция SOI, 2009 IEEE International, Фостер-Сити, Калифорния: 1–2, Дои:10.1109 / SOI.2009.5318754, ISBN  978-1-4244-4256-0, ISSN  1078-621X
  2. ^ GaAs полевой транзистор MESFET radio-electronics.com.