Саймон Зе - Simon Sze

Саймон Мин Сзе (Китайский : 施 敏; пиньинь : Ши Мон; 1936 г.р.), американец китайского происхождения инженер-электрик. Он известен прежде всего изобретением МОП-транзистор с плавающим затвором с Давон Канг в 1967 г.

биография

Зе родился в Нанкин, Цзянсу и вырос в Тайвань. После окончания Национальный Тайваньский университет в 1957 г. получил степень магистра Вашингтонский университет в 1960 г. и докторскую степень от Стэндфордский Университет в 1963 году. Работал на Bell Labs до 1990 г., после чего вернулся в Тайвань и поступил на факультет Национальный университет Цзяо Дун. Он хорошо известен своей работой в полупроводник физика и технологии, включая его открытие 1967 г. (с Давон Канг ) из транзистор с плавающим затвором,^[1] теперь широко используется в энергонезависимые полупроводниковые запоминающие устройства. Он написал и отредактировал множество книг, в том числе Физика полупроводниковых приборов, один из самых цитируемых текстов в своей области. Зе получил Премия Дж. Дж. Эберса в 1991 г. за работу в области электронных устройств.^[2]

Библиография

• Физика полупроводниковых приборов, S. M. Sze. Нью-Йорк: Уайли, 1969, ISBN  0-471-84290-7; 2-е изд., 1981, ISBN  0-471-05661-8; 3-е изд., Совместно с Квок К. Нг, 2006 г., ISBN  0-471-14323-5.
• Двухтомный набор «Энергонезависимые воспоминания: материалы, устройства и приложения», Цеунг-Юэн Ценг и Саймон М. Сзе. Лос-Анджелес: American Scientific Publishers, 2012; ISBN  1-58883-250-3.
• Полупроводниковые приборы: физика и технологии, S. M. Sze. Нью-Йорк: Wiley, 1985; 2-е изд., 2001, ISBN  0-471-33372-7; 3-е изд., 2012, ISBN  978-0470-53794-7.
• Технология СБИС, изд. S. M. Sze. Нью-Йорк: Макгроу-Хилл, 1983, ISBN  0-07-062686-3; 2-е изд., 1988, ISBN  0-07-062735-5.
• Физика современных полупроводниковых приборов, изд. S. M. Sze. Нью-Йорк: John Wiley & Sons, Inc., 1998 г., ISBN  0-471-15237-4.

Рекомендации

Эта статья об американском инженере-электротехнике заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это.