Транзистор дрейфового поля - Drift-field transistor

В транзистор с дрейфовым полем, также называемый дрейфовый транзистор или же ступенчатый базовый транзистор, это тип высокоскоростного биполярный переходной транзистор иметь созданный допингом электрическое поле в базе, чтобы уменьшить носитель заряда базовое транзитное время.

Изобретенный Герберт Кремер в Центральном бюро телекоммуникационных технологий Немецкой почтовой службы в 1953 году он продолжает оказывать влияние на разработку современных высокоскоростных биполярных переходных транзисторов.

Ранние дрейфовые транзисторы создавались путем диффузии легирующей примеси в основе, что приводило к снижению концентрации легирующего вещества вблизи эмиттера по направлению к коллектору.[1]:307

Эта ступенчатая база происходит автоматически с двойным рассеянным планарным транзистором (поэтому их обычно не называют дрейфовыми транзисторами).[2]:469

Подобные быстродействующие транзисторы

Еще один способ сократить время прохождения базы для этого типа транзистора - это изменить ширину запрещенной зоны в базе, например в SiGe [эпитаксиальная база] BJT база Si1 − ηGeη может быть увеличен с η около 0,2 с помощью коллектора и уменьшен до 0 около эмиттера (сохраняя постоянную концентрацию примеси).[1]:307

Приложения

Германиевые транзисторы с диффузным переходом использовались IBM в своих Логика резистора насыщенного дрейфового транзистора (SDTRL), используемый в IBM 1620. (Объявлено в октябре 1959 г.)

Рекомендации

  1. ^ а б Биполярный транзистор. Ченнинг
  2. ^ Основы полупроводниковых приборов.

внешняя ссылка