Силикат гафния (IV) - Википедия - Hafnium(IV) silicate

Силикат гафния (IV)
Имена
Предпочтительное название IUPAC
Силикат гафния (IV)
Систематическое название ИЮПАК
Силикат гафния (4+)
Идентификаторы
3D модель (JSmol )
ChemSpider
Характеристики
HfО4Si
Молярная масса270.57 г · моль−1
ВнешностьТетрагональный кристалл[1]
Плотность7,0 г / см3
Температура плавления 2758 ° С (4996 ° F, 3031 К) [1]
Если не указано иное, данные для материалов приведены в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
Ссылки на инфобоксы

Силикат гафния это гафний (IV) соль из кремниевая кислота с химическая формула HfSiO4.

Тонкие пленки силиката гафния и силикат циркония вырос на осаждение атомного слоя, химическое осаждение из паровой фазы или же MOCVD, может использоваться как диэлектрик high-k в качестве замены диоксид кремния в современных полупроводниковых приборах.[2] Добавление кремний к оксид гафния увеличивает запрещенная зона, уменьшая диэлектрическая постоянная. Кроме того, он увеличивает температуру кристаллизации аморфных пленок и дополнительно увеличивает термическую стабильность материала с Si при высоких температурах.[3] Азот иногда добавляется в силикат гафния для улучшения термической стабильности и электрических свойств устройств.

Естественное явление

Гафнон - это естественная форма ортосиликата гафния. Его название предполагает, что минерал является аналогом Hf гораздо более распространенного циркон. Гафнон - единственный известный в настоящее время подтвержденный минерал гафния (т.е. с преобладанием гафния). Гафнон и циркон образуют твердый раствор. Хафнон является исключительно пегматитовым минералом и встречается в сильно фракционированных (сложного происхождения / истории) пегматитах. [4]

Рекомендации

  1. ^ а б Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4-66. ISBN  1439855110.
  2. ^ Mitrovic, I.Z .; Buiu, O .; Холл, С .; Bungey, C .; Вагнер, Т .; Davey, W .; Лу, Ю. (апрель 2007 г.). «Электрические и структурные свойства тонких пленок силиката гафния». Надежность микроэлектроники. 47 (4–5): 645–648. Дои:10.1016 / j.microrel.2007.01.065.
  3. ^ J.H. Чой; и другие. (2011). «Разработка материалов high-k на основе гафния - обзор». Материаловедение и инженерия: R. 72 (6): 97–136. Дои:10.1016 / j.mser.2010.12.001.
  4. ^ https://www.mindat.org/min-1792.html