Хидео Хосоно - Википедия - Hideo Hosono
Хидео Хосоно | |
|---|---|
 Хидео Хосоно в Королевское общество день приема в Лондоне, июль 2017 г. | |
| Родившийся | Хидео Хосоно 7 сентября 1953 г. |
| Национальность | Япония |
| Альма-матер | Токийский столичный университет |
| Известен | сверхпроводники на основе железа тонкопленочные транзисторы |
| Награды | Премия Японии Почетная медаль (Пурпурная лента) Премия за научные достижения (Японское общество прикладной физики ) Премия Джеймса К. МакГродди за новые материалы |
| Научная карьера | |
| Поля | Материаловедение |
| Учреждения | Токийский технологический институт Нагойский технологический институт |
Хидео Хосоно (細 野 秀雄, Хосоно Хидео, родился 7 сентября 1953 г.), ForMemRS, японец ученый-материаловед наиболее известен открытием сверхпроводники на основе железа.[1][2]
Карьера и исследования
Хосоно также является пионером в разработке прозрачных оксидных полупроводников: он предложил концепцию конструкции материала для прозрачного аморфного оксидного полупроводника (TAOS) с большой подвижность электронов, продемонстрировал отличную производительность TAOS тонкопленочные транзисторы для дисплеев следующего поколения и успешно преобразовал цементный компонент 12CaO · 7Al2O3 в прозрачный полупроводник, металл и, наконец, сверхпроводники.[3][4][5]
Награды и отличия
- 2009 – Приз Бернда Т. Матиаса для сверхпроводимости[6]
- 2009 – Почетная медаль (Пурпурная лента)
- 2012 – Приз Мемориала Нишиной
- 2013 – Лауреаты цитирования Thomson Reuters
- 2015 – Императорская премия Японской академии
- 2016 – Премия Японии
- 2017 - Избран Иностранный член Королевского общества[7]
Избранные публикации
Согласно Web of Science, Хидео Хосоно является соавтором 5 статей с более чем 1000 цитирований каждая (по состоянию на сентябрь 2019 г.):
- Kamihara, Y .; Watanabe, T .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2008). "Слоистый сверхпроводник на основе железа La [O1-хFИкс] FeAs (x = 0,05–0,12) с Тc= 26 К ". Журнал Американского химического общества. 130 (11): 3296–7. Дои:10.1021 / ja800073m. PMID 18293989.
- Nomura, K .; Ohta, H .; Такаги, А .; Камия, Т .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2004). «Изготовление прозрачных гибких тонкопленочных транзисторов с использованием аморфных оксидных полупроводников при комнатной температуре». Природа. 432 (7016): 488–92. Bibcode:2004Натура.432..488Н. Дои:10.1038 / природа03090. PMID 15565150. S2CID 4302869.
- Kawazoe, H .; Yasukawa, M .; Hyodo, H .; Курита, М .; Yanagi, H .; Хосоно, Х. (1997). «Электропроводность P-типа в прозрачных тонких пленках CuAlO.2". Природа. 389 (6654): 939. Bibcode:1997Натура.389..939K. Дои:10.1038/40087. S2CID 4405808.
- Номура, К; Охта, H; Уэда, К; Камия, Т; Хирано, М; Хосоно, Х (2003). «Тонкопленочный транзистор из монокристаллического прозрачного оксидного полупроводника». Наука. 300 (5623): 1269–72. Bibcode:2003Наука ... 300.1269N. Дои:10.1126 / science.1083212. JSTOR 3834084. PMID 12764192. S2CID 20791905.
- Камия, Тошио; Номура, Кендзи; Хосоно, Хидео (2016). «Современное состояние аморфных тонкопленочных транзисторов In – Ga – Zn – O». Наука и технология перспективных материалов. 11 (4): 044305. Bibcode:2010STAdM..11d4305K. Дои:10.1088/1468-6996/11/4/044305. ЧВК 5090337. PMID 27877346.
Рекомендации
- ^ "Хидео Хосоно ScienceWatch.com, декабрь 2008 г.". Архивировано из оригинал на 2013-10-04.
- ^ Kamihara, Y .; Watanabe, T .; Hirano, M .; Хосоно, Х. (2008). "Слоистый сверхпроводник на основе железа La [O1-хFИкс] FeAs (x = 0,05–0,12) с Тc= 26 К ". Журнал Американского химического общества. 130 (11): 3296–7. Дои:10.1021 / ja800073m. PMID 18293989.
- ^ Хидео Хосоно. fpdchina.org
- ^ ЛабораторияПрофиль - Хосоно. materia.titech.ac.jp
- ^ Хидео Хосоно (2014) «Исследование материалов, вдохновляющих впечатления», Vimeo YouTube.
- ^ Приз Бернда Т. Матиаса В архиве 2017-12-09 в Wayback Machine. m2s–2015.ch
- ^ "Хидео Хосоно ForMemRS". Архивировано из оригинал на 2017-05-23.
