Михаил Кацнельсон - Mikhail Katsnelson

В этом Восточнославянское имя, то отчество является Иосифович и фамилия является Кацнельсон.
Михаил Кацнельсон
МихаилКацнельсон2013.jpg
Родившийся (1957-08-10) 10 августа 1957 г. (63 года)
Магнитогорск, Россия
Альма-матерУральский государственный университет
Институт физики металлов
НаградыПремия Спинозы (2013)
Научная карьера
ПоляФизика
УчрежденияRadboud University Nijmegen

Михаил Иосифович Кацнельсон (русский: Михаил Иосифович Кацнельсон; родился 10 августа 1957 г.) - голландский профессор теоретическая физика русского происхождения. Он работает в Radboud University Nijmegen где он специализируется на теоретических физика твердого тела и многотельный квантовая физика.[1][2]

Ранние годы

Кацнельсон родился в Магнитогорск, Россия. С 1972 по 1977 год учился, а затем окончил Уральский государственный университет в Свердловске. В 1980 году получил докторскую степень. из Институт физики металлов там же, где его советником был Сергей Васильевич Вонсовский. В 1985 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора наук. Сильные электронные корреляции в переходных металлах, их сплавах и соединениях а с 1990 по 1998 год стал Институт Макса Планка посещая профессора.[3]

Карьера

С 2004 по 2007 год Кацнельсон работал со многими российскими и голландскими физиками над диоксид азота и обнаружил, что его димер с закрытой оболочкой N₂O₄ создает только слабое легирование, которое также известно как плотность состояний в графеме. Он также обнаружил, что плотность состояний идеальна для химическое зондирование и объяснил его обнаружение одной молекулы.[4] 23 сентября 2007 г. он вместе с Анналиса Фасолино доказали, что химическая связь в углерод вызвано установкой рябь ' тепловые колебания до 80 ангстрем.[5] В 2010 году Кацнельсон работал с физиками из Индии, такими как Рашид Джалил, Рахул Р. Наир, и нанотехнолог Фредрик Щедин из Манчестерский университет и обнаружили, что фтор атомы присоединены к углероду графена, поэтому создается новая версия, названная фторографен который может быть устойчивым в воздухе с температурой 400 ° C (752 ° F).[6] В 2012 году он и его коллеги использовали прототип устройства, содержащего графен. гетеропереходы который сочетался с тонкими нитрид бора или же дисульфид молибдена который использовался как вертикальный транспортный барьер. Во время эксперимента комнатная температура была установлена ​​от ≈50 до ≈10 000, и они доказали, что использование таких прототипов выгодно для высокочастотных операций и крупномасштабных интеграций.[7]

С 2014 года Кацнельсон является членом Королевская Нидерландская академия искусств и наук.[8]

Награды

Рекомендации

  1. ^ «Проф. М.И. Кацнельсон (Михаил)». Сайт университета Радбауд. Получено 21 ноября 2020.
  2. ^ Джон Матсон (18 ноября 2009 г.). «Ультратонкий, теперь ультратонкий: графен без пульсаций может раскрыть тайны материала». Scientific American. Получено 21 января 2015.
  3. ^ "Домашняя страница Кацнельсона Михаила Ивановича". Архивировано из оригинал 21 января 2015 г.. Получено 21 января 2015.
  4. ^ Wehling, T. O .; Новоселов, К. С .; Морозов, С. В .; Вдовин, Э. Э .; Katsnelson, M. I .; Гейм, А.К .; Лихтенштейн, А. И. (2008). «Молекулярное допирование графена». Нано буквы. 8 (1): 173–177. arXiv:cond-mat / 0703390. Bibcode:2008NanoL ... 8..173 Вт. Дои:10.1021 / nl072364w. PMID  18085811. S2CID  38836029.
  5. ^ А. Фасолино; Дж. Х. Лос; М. И. Кацнельсон (2007). «Внутренняя рябь в графеме». Материалы Природы. 6 (11): 858–861. arXiv:0704.1793. Bibcode:2007НатМа ... 6..858F. Дои:10.1038 / nmat2011. PMID  17891144. S2CID  38264967.
  6. ^ Nair, Rahul R .; Рен, Вэньцай; Джалил, Рашид; Риаз, Ибцам; Кравец, Василий Г .; Бритнелл, Лиам; Блейк, Питер; Щедин, Фредрик; Майоров, Александр С .; Юань, Шэнцзюнь; Кацнельсон, Михаил I .; Ченг, Хуэй-Мин; Струпински, Влодек; Булушева, Любовь Г .; Окотруб, Александр В .; Григорьева Ирина В .; Григоренко, Александр Н .; Новоселов, Костя С .; Гейм, Андре К. (20 декабря 2010 г.). «Флюорографен: двумерный аналог тефлона». Маленький. 6 (24): 2877–2884. arXiv:1006.3016. Дои:10.1002 / smll.201001555. PMID  21053339. S2CID  10022293.
  7. ^ Britnell, L .; Горбачев, Р. В .; Jalil, R .; Belle, B.D .; Щедин, Ф .; Мищенко, А .; Георгиу, Т .; Katsnelson, M. I .; Карниз, Л .; Морозов, С. В .; Перес, Н. М. Р .; Leist, J .; Гейм, А.К .; Новоселов, К. С .; Пономаренко, Л. А. (24 февраля 2012 г.). «Полевой туннельный транзистор на основе вертикальных графеновых гетероструктур». Наука. 335 (6071): 947–950. arXiv:1112.4999. Bibcode:2012Sci ... 335..947B. Дои:10.1126 / наука.1218461. PMID  22300848. S2CID  4887105.
  8. ^ «Миша Кацнельсон» (на голландском). Королевская Нидерландская академия искусств и наук. Получено 30 июн 2015.
  9. ^ «Премия НВО Спинозы 2013». Нидерландская организация научных исследований. 3 сентября 2014 г.. Получено 25 июн 2015.

внешняя ссылка