Прекращение на смерть - On-die termination

Эта статья включает в себя список общих использованная литература, но он остается в основном непроверенным, потому что ему не хватает соответствующих встроенные цитаты. Пожалуйста, помогите улучшить эта статья введение более точные цитаты. (Май 2016) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения)

Прекращение на смерть (ODT) - это технология, в которой прекращение резистор для согласование импеданса в линии передачи расположен внутри полупроводникового кристалла, а не на печатная плата (Печатная плата).

Обзор электронного прекращения сигнала

В приложениях с более низкой частотой (с медленным фронтом) соединительные линии можно моделировать как «сосредоточенные» цепи. В этом случае нет необходимости рассматривать понятие «прекращение». В условиях низкой частоты можно предположить, что каждая точка соединительного провода имеет такое же напряжение, как и любая другая точка в любой момент времени.

Однако, если задержка распространения в проводе, дорожке печатной платы, кабеле или разъеме значительна (например, если задержка превышает 1/6 времени нарастания цифрового сигнала), модель схемы с сосредоточенными параметрами не является более длительный срок действия, и межсоединение следует анализировать как линия передачи. В линии передачи путь межсоединения сигналов моделируется как цепь, содержащая распределенную индуктивность, емкость и сопротивление по всей ее длине.

Чтобы линия передачи сводила к минимуму искажение сигнала, сопротивление каждого участка линии электропередачи должны быть одинаковыми по всей длине. Если в линии есть место, где по какой-либо причине импеданс неоднороден (разомкнутая цепь, неоднородность импеданса, другой материал), сигнал изменяется за счет отражения в точке изменения импеданса, что приводит к искажениям, звоном и так далее.

Когда тракт прохождения сигнала имеет разрыв импеданса, другими словами несоответствие импеданса, то оконечный импеданс с эквивалентной величиной импеданса помещается в точку разрыва линии. Это описывается как «прекращение». Например, на материнских платах компьютеров можно установить резисторы для оконечной нагрузки высокоскоростных шин. В зависимости от того, как резисторы подключены к линии передачи, существует несколько способов оконечной нагрузки. Параллельное завершение и последовательное завершение являются примерами методологий завершения.

Прекращение на смерть

Вместо необходимого резистивного вывода, расположенного на материнской плате, терминатор расположен внутри полупроводниковых микросхем - метод, называемый On-Die Termination (сокращенно ODT).

Зачем нужна оконцовка на кристалле?

Хотя согласующие резисторы на материнской плате уменьшают некоторые отражения на сигнальных линиях, они не могут предотвратить отражения, возникающие от шлейфов, которые подключаются к компонентам на плате модуля (например, модулю DRAM). Сигнал, распространяющийся от контроллера к компонентам, наталкивается на разрыв импеданса на шлейфе, ведущем к компонентам модуля. Сигнал, который распространяется по шлейфу к компоненту (например, компоненту DRAM), будет отражаться обратно в сигнальную линию, тем самым создавая нежелательные шум в сигнал. Кроме того, заделка на кристалле может уменьшить количество резисторных элементов и сложную разводку на плате. материнская плата. Соответственно, конструкция системы может быть более простой и экономичной.

Пример ODT: DRAM

Согласование на кристалле реализуется с помощью нескольких комбинаций резисторов на кремнии DRAM вместе с другими деревьями схем. Разработчики схем DRAM могут использовать комбинацию транзисторов с разными значениями сопротивления включения. В случае DDR2 есть три вида внутренних резисторов 150 Ом, 75 Ом и 50 Ом. Резисторы могут быть объединены для создания надлежащего эквивалентного значения импеданса на внешней стороне микросхемы, в результате чего сигнальная линия (линия передачи) материнской платы управляется сигналом операции завершения на кристалле. Там, где существует схема управления значением оконечной нагрузки на кристалле, контроллер DRAM управляет оконечным сопротивлением на кристалле через регистр программируемой конфигурации, который находится в DRAM. Значения внутренней нагрузки на кристалле в DDR3 составляют 120 Ом, 60 Ом, 40 Ом и так далее.

Смотрите также

• Отражения сигналов на проводящих линиях

использованная литература

^[1][2][3][4]