RLDRAM - RLDRAM

DRAM с уменьшенной задержкой (RLDRAM) - это вид специальности динамическая память с произвольным доступом (DRAM) с SRAM -подобный интерфейс, изначально разработанный Infineon Technologies. Это полупроизводственная память с высокой пропускной способностью и умеренно малой задержкой (по сравнению с современными SRAM), предназначенная для встроенных приложений (таких как компьютерная сеть оборудование), требующие памяти, которая имеет умеренную стоимость и низкую задержку (по сравнению с обычным DRAM); и емкость больше, чем у SRAM.[1] RLDRAM также имеет лучшую производительность по сравнению с современными бытовыми DRAM, когда имеется прямой доступ для чтения и записи или полностью случайный доступ.[2]

Устройства RLDRAM первого поколения появились в 1999 году и первоначально были только сфабрикованный компании Infineon. Потом, Микронная технология был привлечен в качестве партнера по развитию и второстепенный источник для устройств RLDRAM. Второе поколение RLDRAM II Спецификация была анонсирована Infineon и Micron в 2003 году.[3] Впоследствии Infineon решила отказаться от разработки RLDRAM, и Micron представила устройства RLDRAM II.[1] В том же году появились первые образцы RLDRAM II.[4] В 2012 году Micron продемонстрировала первое третье поколение RLDRAM 3 устройств.[5]

Рекомендации

  1. ^ а б Джейкоб, Брюс и др. (2008). Системы памяти: кэш, DRAM, диск. Издательство Морган Кауфманн. С. 494.
  2. ^ Память RLDRAM: непревзойденная пропускная способность и низкая задержка
  3. ^ Infineon и Micro объявляют о спецификации RLDRAM II.
  4. ^ Micron - это микросхемы памяти Sampling RLDRAM-II.
  5. ^ Micron, Xilinx демонстрируют рабочие прототипы RLDRAM 3.