EDRAM - EDRAM

Память компьютера типы
Общий
Летучий
баран
Исторический
Энергонезависимая
ПЗУ
NVRAM
Ранняя стадия NVRAM
Магнитный
Оптический
В развитии
Исторический

Встроенная память DRAM (eDRAM) является динамическая память с произвольным доступом (DRAM) интегрирован в тот же умереть или же многокристальный модуль (MCM)[1] специализированной интегральной схемы (ASIC) или микропроцессор. Стоимость одного бита у eDRAM выше по сравнению с эквивалентными автономными микросхемами DRAM, используемыми в качестве внешней памяти, но преимущества в производительности размещения eDRAM на том же чипе, что и процессор, перевешивают недостатки стоимости во многих приложениях. По производительности и размеру eDRAM находится между кеш уровня 3 и обычная DRAM на шине памяти и эффективно функционирует как кэш 4-го уровня, хотя описания архитектуры могут не ссылаться на нее в этих терминах.

Встраивание памяти в ASIC или процессор позволяет значительно расширить автобусов и более высокие скорости работы, а также из-за гораздо более высокой плотности DRAM по сравнению с SRAM,[нужна цитата ] больший объем памяти может быть установлен на микросхемах меньшего размера, если используется eDRAM вместо eSRAM. Для eDRAM требуются дополнительные этапы производственного процесса по сравнению со встроенной SRAM, что увеличивает стоимость, но трехкратная экономия площади памяти eDRAM компенсирует стоимость процесса, когда в конструкции используется значительный объем памяти.

Память eDRAM, как и вся память DRAM, требует периодического обновления ячеек памяти, что увеличивает сложность. Однако, если контроллер обновления памяти встроен вместе с памятью eDRAM, оставшаяся часть ASIC может обрабатывать память как простой тип SRAM, такой как в 1T-SRAM. Также можно использовать архитектурные методы для уменьшения накладных расходов на обновление в кэшах eDRAM.[2]

eDRAM используется в различных продуктах, в том числе IBM с МОЩНОСТЬ7 процессор[3] и IBM z15 Процессор мэйнфрейма (построенные мэйнфреймы, которые используют до 4,69 ГБ eDRAM при использовании 5 таких дополнительных микросхем / ящиков, но все другие уровни, начиная с L1, также используют eDRAM, что в общей сложности составляет 6,4 ГБ eDRAM). Intel с Haswell CPU со встроенной графикой GT3e,[4] много Игровые приставки и другие устройства, такие как Sony с PlayStation 2, Sony PlayStation портативный, Nintendo с GameCube, Nintendo Wii, Nintendo Wii U, Apple Inc. с iPhone, Microsoft с Zune HD и Microsoft Xbox 360 также используйте eDRAM.

Использование eDRAM в различных продуктах
Наименование товараКоличество
eDRAM
IBM z1500256+ МБ
Системный контроллер IBM (SC) SCM с кешем L4 для z1500960 МБ
Intel Haswell, Iris Pro Graphics 5200 (GT3e)00128 МБ
Intel Broadwell, Iris Pro Graphics 6200 (GT3e)00128 МБ
Intel Skylake, Iris Graphics 540 и 550 (GT3e)00064 МБ
Intel Skylake, Iris Pro Graphics 580 (GT4e)00064 или 128 МБ
Intel Coffee Lake, Iris Plus Graphics 655 (GT3e)00128 МБ
Intel Приземление рыцарей (2-го поколения Ксеон Пхи )[5]16384 МБ
PlayStation 200004 МБ
PlayStation портативный00004 МБ
Xbox 36000010 МБ
Wii U00032 МБ

Некоторые программные утилиты могут моделировать кеш-память eDRAM.[6]

Смотрите также

Память с высокой пропускной способностью

Рекомендации

  1. ^ Встроенная память DRAM от Intel: новая эра кэш-памяти
  2. ^ "Обзор архитектурных подходов к управлению встроенной памятью DRAM и энергонезависимыми встроенными кэшами ", Миттал и др., IEEE TPDS, 2014 г.
  3. ^ "Hot Chips XXI Preview". Технологии реального мира. Получено 2009-08-17.
  4. ^ «Изображение Haswell GT3e, выходящее на настольные компьютеры (R-SKU) и ноутбуки». АнандТех. Получено 2013-10-07.
  5. ^ Алкорн, Пол (20 июня 2016 г.). «Intel Xeon Phi Knights Landing уже в продаже; тоже обновление Omni Path». Оборудование Тома. Получено 4 апреля 2020. KNL имеет 16 ГБ встроенной MCDRAM (многоканальной DRAM) Micron HBM
  6. ^ 3d_cache_modeling_tool / судьба, code.ornl.gov, дата обращения 26 февраля 2015.

внешняя ссылка