Магниторезистивная RAM - Magnetoresistive RAM

"MRAM" перенаправляется сюда. Для правительственного агентства Монголии см. Управление минеральных ресурсов Монголии.
Память компьютера типы
Общий
Летучий
баран
Исторический
Энергонезависимая
ПЗУ
NVRAM
Ранняя стадия NVRAM
Магнитный
Оптический
В развитии
Исторический

Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) является разновидностью энергонезависимая память с произвольным доступом который хранит данные в магнитные домены.[1] Разработанная в середине 1980-х годов, сторонники утверждали, что магниторезистивная RAM в конечном итоге превзойдет конкурирующие технологии и станет доминирующей или даже доминирующей. универсальная память.[2] В настоящее время используются такие технологии памяти, как флэш-память и DRAM имеют практические преимущества, которые до сих пор удерживали MRAM в своей нише на рынке.

Описание

Упрощенная структура ячейки MRAM[3]

В отличие от обычных баран чиповые технологии, данные в MRAM не хранятся как электрический заряд или текущие потоки, но магнитный элементы хранения. Элементы состоят из двух ферромагнитный пластины, каждая из которых может удерживать намагниченность, разделены тонким изолирующим слоем. Одна из двух пластин представляет собой постоянный магнит, настроенный на определенную полярность; намагниченность другой пластины может быть изменена в соответствии с намагниченностью внешнего поля для хранения памяти. Эта конфигурация известна как магнитный туннельный переход и является простейшей структурой для MRAM кусочек. Устройство памяти строится из сетки таких «ячеек».

Самый простой способ считывания - измерение электрическое сопротивление ячейки. Конкретная ячейка (обычно) выбирается путем включения связанного транзистор это переключает Текущий от линии питания через ячейку до земли. Потому что туннельное магнитосопротивление, электрическое сопротивление ячейки изменяется с относительной ориентацией намагниченности в двух пластинах. Измеряя результирующий ток, можно определить сопротивление внутри любой конкретной ячейки, а на его основе полярность намагничивания записываемой пластины. Обычно, если две пластины имеют одинаковое выравнивание намагниченности (состояние низкого сопротивления), это считается равным «1», тогда как если выравнивание антипараллельное, сопротивление будет выше (состояние высокого сопротивления), и это означает «0».

Данные записываются в ячейки разными способами. В простейшем «классическом» варианте каждая ячейка находится между парой линий записи, расположенных под прямым углом друг к другу, параллельно ячейке, одна над и одна под ячейкой. Когда через них проходит ток, индуцированное магнитное поле создается на стыке, который захватывает пластина с возможностью записи. Эта схема работы похожа на магнитная память, система, обычно используемая в 1960-х годах. Однако этот подход требует довольно значительного тока для генерации поля, что делает его менее интересным для использования с низким энергопотреблением, что является одним из основных недостатков MRAM. Кроме того, по мере уменьшения размера устройства наступает момент, когда индуцированное поле перекрывает соседние ячейки на небольшой площади, что приводит к потенциальной ложной записи. Эта проблема, проблема полу-выбора (или нарушения записи), по-видимому, устанавливает довольно большой минимальный размер для этого типа ячейки. Одним из экспериментальных решений этой проблемы было использование круговых доменов, записываемых и читаемых с использованием гигантский магниторезистивный эффект, но похоже, что это направление исследований больше не активно.

Более новая техника, крутящий момент передачи вращения (STT) или переключение с переносом спина, использует выровненный по спину ("поляризованный") электроны чтобы напрямую затянуть домены. В частности, если электроны, втекающие в слой, должны изменить свой спин, это создаст крутящий момент, который будет передан соседнему слою. Это снижает количество тока, необходимого для записи ячеек, делая его примерно таким же, как процесс чтения.[нужна цитата ] Есть опасения, что "классический" тип ячейки MRAM будет иметь трудности при высоких плотностях из-за величины тока, необходимого во время записи, проблемы, которую позволяет избежать STT. По этой причине сторонники STT ожидают, что этот метод будет использоваться для устройств размером 65 нм и меньше.[4] Обратной стороной является необходимость поддерживать согласованность вращения. В целом, STT требует гораздо меньшего тока записи, чем обычная или переключаемая MRAM. Исследования в этой области показывают, что ток STT можно уменьшить до 50 раз за счет использования новой композитной структуры.[5] Однако для работы на более высоких скоростях по-прежнему требуется более высокий ток.[6]

Другие возможные договоренности включают "тепловая коммутация »(ТАС-МРАМ), который кратковременно нагревается (напоминает память с фазовым переходом ) магнитные туннельные переходы во время процесса записи и в остальное время поддерживает стабильность MTJ при более низкой температуре;[7] и «MRAM с вертикальной транспортировкой» (VMRAM), который использует ток через вертикальный столбец для изменения магнитной ориентации, геометрическое расположение, которое уменьшает проблему нарушения записи и поэтому может использоваться с более высокой плотностью.[8]

Обзорная статья[9] предоставляет подробную информацию о материалах и проблемах, связанных с MRAM в перпендикулярной геометрии. Авторы описывают новый термин «пенталемма», который представляет собой конфликт пяти различных требований, таких как ток записи, стабильность битов, читаемость, скорость чтения / записи и интеграция процесса с CMOS. Обсуждаются выбор материалов и конструкция MRAM для выполнения этих требований.

Сравнение с другими системами

Плотность

Основным фактором, определяющим стоимость системы памяти, является плотность компонентов, из которых она состоит. Компоненты меньшего размера и их меньшее количество означают, что на одном кристалле можно разместить больше «ячеек», что, в свою очередь, означает, что на одной кремниевой пластине может быть произведено сразу больше. Это повышает доходность, которая напрямую связана с затратами.

DRAM использует небольшой конденсатор как элемент памяти, провода для передачи тока к нему и от него, а также транзистор чтобы управлять им - ячейка "1T1C". Это делает DRAM доступной в настоящее время оперативной памятью с самой высокой плотностью и, следовательно, наименее дорогостоящей, поэтому она используется для большей части оперативной памяти компьютеров.

MRAM физически похожа на DRAM по структуре и часто требует транзистора для операции записи (хотя это и не является строго необходимым). Масштабирование транзисторов до более высокой плотности обязательно приводит к более низкому доступному току, что может ограничивать производительность MRAM в расширенных узлах.

Потребляемая мощность

Поскольку конденсаторы, используемые в DRAM, со временем теряют свой заряд, модули памяти, использующие DRAM, должны обновить все ячейки в своих чипах 16 раз в секунду, считывая каждую и перезаписывая ее содержимое. По мере уменьшения размера ячеек DRAM необходимо чаще обновлять ячейки, что приводит к увеличению энергопотребления.

Напротив, MRAM никогда не требует обновления. Это означает, что он не только сохраняет свою память при выключенном питании, но также отсутствует постоянное потребление энергии. Хотя теоретически процесс чтения требует большей мощности, чем тот же процесс в DRAM, на практике разница оказывается очень близкой к нулю. Однако процесс записи требует большей мощности, чтобы преодолеть существующее поле, хранящееся в переходе, от трех до восьми раз больше мощности, необходимой во время чтения.[10][11] Хотя точный объем экономии энергии зависит от характера работы - более частая запись потребует больше энергии - в целом сторонники MRAM ожидают многого. более низкое энергопотребление (до 99% меньше) по сравнению с DRAM. MRAM на основе STT устраняют разницу между чтением и записью, дополнительно снижая требования к мощности.

Также стоит сравнить MRAM с другой распространенной системой памяти - флэш-память. Как и MRAM, флеш-память не теряет свою память при отключении питания, что делает ее очень распространенной в приложениях, требующих постоянного хранения. При использовании для чтения флэш-память и MRAM очень похожи по требованиям к питанию. Однако вспышка перезаписывается с использованием большого импульса напряжения (около 10 В), который со временем накапливается в зарядный насос, что требует больших затрат энергии и времени. Кроме того, импульс тока физически разрушает ячейки флэш-памяти, что означает, что флэш-память может быть записана только некоторое конечное число раз, прежде чем ее необходимо будет заменить.

Напротив, MRAM требует лишь немного больше энергии для записи, чем для чтения, и без изменения напряжения, что устраняет необходимость в подкачке заряда. Это приводит к гораздо более быстрой работе, меньшему энергопотреблению и неограниченно долгому сроку службы.

Хранение данных

MRAM часто рекламируют как энергонезависимую память. Однако текущая основная MRAM большой емкости, память крутящего момента с передачей вращения, обеспечивает улучшенное удержание за счет более высокого энергопотребления, т.е., выше пиши ток. В частности, критический (минимальный) ток записи прямо пропорционален коэффициенту термостойкости Δ.[12] Удержание, в свою очередь, пропорционально exp (Δ). Следовательно, удерживание экспоненциально ухудшается с уменьшением тока записи.

Скорость

Динамическая память с произвольным доступом Производительность (DRAM) ограничена скоростью, с которой заряд, хранящийся в ячейках, может быть истощен (для чтения) или сохранен (для записи). Работа MRAM основана на измерении напряжений, а не зарядов или токов, поэтому требуется меньше «времени установления». Исследователи IBM продемонстрировали устройства MRAM со временем доступа порядка 2 нс, что несколько лучше, чем даже самые продвинутые DRAM, построенные на гораздо более новых процессах.[13] Команда на немецком Physikalisch-Technische Bundesanstalt продемонстрировали устройства MRAM со временем установления 1 нс, что лучше, чем принятые в настоящее время теоретические пределы для DRAM, хотя демонстрация проводилась с одной ячейкой.[14] Различия по сравнению с флеш-памятью гораздо более значительны: скорость записи в тысячи раз выше. Однако эти сравнения скоростей не относятся к аналогичному току. Для памяти высокой плотности требуются небольшие транзисторы с пониженным током, особенно если они созданы с малой утечкой в ​​режиме ожидания. В таких условиях время записи менее 30 нс не может быть достигнуто так легко. В частности, для обеспечения стабильности оплавления припоя 260 ° C в течение 90 секунд потребовались импульсы 250 нс.[15] Это связано с повышенными требованиями к термостабильности, которые приводят к увеличению количества ошибок по битам записи. Чтобы избежать пробоя из-за более высокого тока, необходимы более длинные импульсы.

Для перпендикулярной MRAM STT время переключения в значительной степени определяется термической стабильностью Δ, а также током записи.[16] Для большего Δ (лучше для сохранения данных) потребуется больший ток записи или более длинный импульс. Сочетание высокой скорости и адекватного удержания возможно только при достаточно высоком токе записи.

Единственная современная технология памяти, которая легко конкурирует с MRAM с точки зрения производительности при сопоставимой плотности, - это статическая оперативная память (SRAM). SRAM состоит из серии транзисторов, расположенных в виде резкий поворот, который будет удерживать одно из двух состояний, пока подано питание. Поскольку транзисторы имеют очень низкую потребляемую мощность, время их переключения очень низкое. Однако, поскольку ячейка SRAM состоит из нескольких транзисторов, обычно четырех или шести, ее плотность намного ниже, чем у DRAM. Это делает его дорогим, поэтому он используется только для небольших объемов высокопроизводительной памяти, особенно для Кэш процессора почти во всех современных центральное процессорное устройство конструкции.

Хотя MRAM не так быстр, как SRAM, он достаточно близок, чтобы быть интересным даже в этой роли. Учитывая его гораздо более высокую плотность, разработчик ЦП может быть склонен использовать MRAM, чтобы предложить гораздо больший, но несколько более медленный кеш, а не меньший, но более быстрый. Еще неизвестно, как этот компромисс будет развиваться в будущем.

Выносливость

На долговечность MRAM влияет ток записи, равно как и время удержания и скорость, а также ток чтения. Когда ток записи достаточно велик для скорости и удержания, необходимо учитывать вероятность отказа MTJ.[17] Если отношение тока чтения к току записи недостаточно мало, нарушение чтения становится более вероятным, то есть ошибка чтения возникает во время одного из многих циклов переключения. Частота ошибок нарушения чтения определяется выражением 1 - exp (- (tчитать/ τ) / exp (Δ (1- (Iчитать /Якрит)))), где τ - время релаксации (1 нс), а Iкрит критический ток записи.[18] Более высокая выносливость требует достаточно низкого Iчитать/Якрит. Однако более низкий Iчитать также снижает скорость чтения.[19]

Общий

MRAM имеет производительность, аналогичную SRAM, благодаря использованию достаточного тока записи. Однако эта зависимость от тока записи также затрудняет конкуренцию с более высокой плотностью, сравнимой с обычными DRAM и Flash. Тем не менее, некоторые возможности для MRAM существуют там, где нет необходимости максимизировать плотность.[20] С точки зрения фундаментальной физики, подход к MRAM с передачей крутящего момента связан с «прямоугольником смерти», образованным требованиями к удержанию, выносливости, скорости и мощности, как описано выше.

Уровень проектных параметровУдержаниеВыносливостьСкоростьМощность
Высокий ток записи+- (поломка)+−
Низкий ток записи−- (читать беспокоить)−+
Высокая Δ+- (поломка)−- (более высокий ток)
Низкая Δ−- (читать беспокоить)++ (более низкий ток)

В то время как компромисс между мощностью и скоростью является универсальным для электронных устройств, компромисс между выносливостью и сохранением при высоком токе и ухудшением обоих при низком Δ является проблематичным. Выносливость в основном ограничена 108 циклы.[21]

Альтернативы MRAM

Ограниченные циклы записи Flash и EEPROM - серьезная проблема для любой реальной роли, подобной RAM. Кроме того, высокая мощность, необходимая для записи ячеек, является проблемой в узлах с низким энергопотреблением, где часто используется энергонезависимая RAM. Электроэнергии также нужно время, чтобы «накопить» устройство, известное как зарядный насос, что делает запись значительно медленнее, чем чтение, часто до 1/1000 скорости. Хотя MRAM, безусловно, была разработана для решения некоторых из этих проблем, ряд других новых устройств памяти находится в производстве или был предложен для устранения этих недостатков.

На сегодняшний день единственной подобной системой для выхода в массовое производство является сегнетоэлектрическое RAM, или F-RAM (иногда называемый FeRAM).

Также наблюдается возобновление интереса к кремнию-оксид-нитрид-оксид-кремний (SONOS ) память и ReRAM. 3D XPoint также находится в разработке, но, как известно, имеет более высокий бюджет мощности, чем DRAM.[22]

История

Первая 200-миллиметровая пластина MRAM 1 Мб, изготовленная Motorola, 2001
  • 1955 — Память магнитного сердечника имел тот же принцип чтения и записи, что и MRAM
  • 1984 - Артур В. Похм и Джеймс М. Доутон, работая на Honeywell, разработал первые устройства памяти с магнитосопротивлением.[23][24]
  • 1984 - обнаружен эффект GMR[25]
  • 1988 - европейские ученые (Альберт Ферт и Петер Грюнберг ) обнаружил "гигантский магниторезистивный эффект "в тонкопленочных структурах.
  • 1989 - Похм и Доутон покинули Honeywell, чтобы основать Nonvolatile Electronics, Inc. (позже переименованную в NVE Corp.), сублицензируя созданную ими технологию MRAM.[23]
  • 1995 — Motorola (позже стать Freescale Semiconductor, а впоследствии Полупроводники NXP ) инициирует работу по разработке MRAM
  • 1996 — Передача крутящего момента вращения предлагается[26][27]
  • 1998 - Motorola разрабатывает 256 Кбайт тестовый чип MRAM.[28]
  • 2000 - IBM и Infineon учредили совместную программу разработки MRAM.
  • 2000 - первая лаборатория Spintec Передача крутящего момента вращения патент.
  • 2002
    • NVE объявляет об обмене технологиями с Cypress Semiconductor.
    • Переключить патент, выданный Motorola[29]
  • 2003 - Представлен чип MRAM на 128 кбит, изготовленный по литографическому процессу 180 нм.
  • 2004
    • Июнь - Infineon представила 16-мегабитный прототип, изготовленный по литографическому процессу 180 нм
    • Сентябрь - MRAM становится стандартным продуктом Freescale.
    • Октябрь - Тайваньские разработчики магнитофонной ленты MRAM раздают части 1 Мбит TSMC.
    • Октябрь - Micron отказывается от MRAM, обдумывает другие воспоминания.
    • Декабрь - TSMC, NEC и Toshiba описать новые клетки MRAM.
    • Декабрь - Renesas Technology продвигает высокопроизводительную и надежную технологию MRAM.
    • Первое наблюдение лаборатории Spintech Переключение с тепловой поддержкой (TAS) как подход MRAM.
    • Крокус Технологии основан; компания является разработчиком MRAM второго поколения
  • 2005
    • Январь - Cypress Semiconductor образцы MRAM, используя NVE IP.
    • Март - Cypress продает дочернюю компанию MRAM.
    • Июнь - Honeywell публикует лист данных для 1-мегабитной радионавязкой MRAM с использованием литографического процесса 150 нм.
    • Август - запись MRAM: ячейка памяти работает на частоте 2 ГГц.
    • Ноябрь - Renesas Technology и Грандис сотрудничать в разработке 65 нм MRAM с использованием передача крутящего момента (СТТ).
    • Ноябрь - NVE получает SBIR грант на исследование криптографической памяти, реагирующей на вмешательство.[30]
    • Декабрь - Sony анонсировала первую производимую в лаборатории MRAM с передачей спинового момента, в которой для записи данных используется спин-поляризованный ток через слой туннельного магнитосопротивления. Этот метод потребляет меньше энергии и более масштабируем, чем обычная MRAM. С дальнейшим развитием материалов этот процесс должен обеспечить более высокую плотность, чем это возможно в DRAM.
    • Декабрь - Freescale Semiconductor Inc. демонстрирует MRAM, в которой используется оксид магния, а не оксид алюминия, что обеспечивает более тонкий изолирующий туннельный барьер и улучшенное битовое сопротивление во время цикла записи, тем самым снижая необходимый ток записи.
    • Лаборатория Spintec предоставляет компании Crocus Technology эксклюзивную лицензию на свои патенты.
  • 2006
    • Февраль - Toshiba и NEC анонсировала 16-мегабитный чип MRAM с новым дизайном "power-fork". Он обеспечивает скорость передачи данных 200 Мбит / с при времени цикла 34 нс, лучшую производительность среди всех микросхем MRAM. Он также может похвастаться самым маленьким физическим размером в своем классе - 78,5 квадратных миллиметра - и низким напряжением 1,8 вольт.[31]
    • Июль - 10 июля, Остин, Техас, Freescale Semiconductor начинает продажу 4-мегабитного чипа MRAM, который продается по цене примерно 25 долларов за чип.[32][33]
  • 2007
    • НИОКР переезжают в крутящий момент передачи вращения RAM (SPRAM)
    • Февраль - Университет Тохоку и Hitachi разработали прототип 2-мегабитного энергонезависимого чипа RAM, использующего переключение крутящего момента с передачей вращения.[34]
    • Август - «IBM, партнер TDK в исследованиях магнитной памяти по переключению крутящего момента с передачей вращения» IBM и TDK намерены снизить стоимость и повысить производительность MRAM, чтобы выпустить продукт на рынок.[35]
    • Ноябрь - Toshiba применила и подтвердила переключение крутящего момента с передачей вращения с помощью устройства MTJ с перпендикулярной магнитной анизотропией.[36]
    • Ноябрь - NEC разрабатывает самую быструю в мире память MRAM, совместимую со SRAM, с рабочей скоростью 250 МГц.[37]
  • 2008
    • Японский спутник SpriteSat будет использовать Freescale MRAM для замены компонентов SRAM и FLASH[38]
    • Июнь - Samsung и Hynix стать партнером по STT-MRAM[39]
    • Июнь - Freescale выделяет MRAM в качестве новой компании Everspin[40][41]
    • Август - Ученые из Германии разработали MRAM следующего поколения, который, как говорят, работает настолько быстро, насколько позволяют фундаментальные ограничения производительности, с циклами записи менее 1 наносекунды.
    • Ноябрь - Everspin объявляет BGA пакеты, семейство продуктов от 256Кб до 4Мб[42]
  • 2009
    • Июнь - Hitachi и Университет Тохоку продемонстрировали 32-мегабитную оперативную память с передачей вращения (SPRAM).[43]
    • Июнь - Крокус Технологии и Tower Semiconductor объявляют о сделке по переносу технологического процесса MRAM компании Crocus в производственную среду Tower[44]
    • Ноябрь - Everspin выпускает семейство продуктов SPI MRAM[45] и поставляет первые образцы встроенных MRAM
  • 2010
    • Апрель - Everspin выпускает плотность 16 Мб[46][47]
    • Июнь - Hitachi и Tohoku Univ объявляют о многоуровневом SPRAM[48]
  • 2011
    • Март - PTB, Германия, объявляет о цикле записи менее 500 пс (2 Гбит / с)[49]
  • 2012
  • 2013
    • Ноябрь - Buffalo Technology и Everspin анонсируют новый промышленный твердотельный накопитель SATA III, который включает в себя Spin-Torque MRAM (ST-MRAM) Everspin в качестве кэш-памяти.[53]
  • 2014
    • Январь - Исследователи объявляют о возможности управлять магнитными свойствами антиферромагнитных наночастиц ядро ​​/ оболочка, используя только изменения температуры и магнитного поля.[54]
    • Октябрь - Everspin сотрудничает с GlobalFoundries изготовить ST-MRAM на пластинах 300 мм.[55]
  • 2016
    • Апрель - глава компании Samsung по производству полупроводников Ким Ки-Нам говорит, что Samsung разрабатывает технологию MRAM, которая «скоро будет готова».[56]
    • Июль - IBM и Samsung сообщают об устройстве MRAM с возможностью масштабирования до 11 нм с током переключения 7,5 мкА при 10 нс.[57]
    • Август - Everspin объявила об отправке клиентам первых в отрасли образцов ST-MRAM 256 Мб.[58]
    • Октябрь - Технология лавин партнеры с Производство полупроводников Sony производить STT-MRAM на пластинах 300 мм на основе «множества производственных узлов».[59]
    • Декабрь - Inston и Toshiba самостоятельно представить результаты на MRAM с управлением напряжением на Международная конференция по электронным устройствам[60]
  • 2019
    • Январь - Everspin начинает поставки образцов 28-нм чипов STT-MRAM 1 ГБ[61]
    • Март - Samsung начинает коммерческое производство своей первой встраиваемой памяти STT-MRAM на основе 28-нм техпроцесса.[62]
    • Май - Avalanche сотрудничает с Объединенная корпорация микроэлектроники совместная разработка и производство встроенной памяти MRAM на основе производственного процесса 28 нм CMOS.[63]

Приложения

Предлагаемое использование MRAM включает такие устройства, как аэрокосмический и военные системы, цифровые фотоаппараты, записные книжки, смарт-карты, Мобильные телефоны, Базовые станции сотовой связи, персональные компьютеры, с батарейным питанием SRAM замена, регистрация данных специальной памяти (черный ящик решения), медиаплееры и книги для чтения.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Магниторезистивная память, включая тонкопленочные ячейки для хранения с заостренными концами».
  2. ^ Акерман Дж. (2005). «ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА: К универсальной памяти». Наука. 308 (5721): 508–510. Дои:10.1126 / наука.1110549. PMID  15845842. S2CID  60577959.
  3. ^ Фуси, Гань; Ян, Ван (9 февраля 2015 г.). Хранение данных в наномасштабе: достижения и приложения. CRC Press. ISBN  9789814613200 - через Google Книги.
  4. ^ «Renesas и Grandis будут сотрудничать в разработке 65-нм MRAM с использованием передачи крутящего момента», 1 декабря 2005 г.
  5. ^ «Более низкий ток переключения для передачи крутящего момента в магнитных запоминающих устройствах, таких как магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM)». Университет Миннесоты. Получено 15 августа 2011.
  6. ^ Ю. Хуай, "MRAM крутящего момента с передачей вращения (STT-MRAM): проблемы и перспективы", Бюллетень AAPPS, декабрь 2008 г., вып. 18, нет. 6, стр. 33.
  7. ^ Статья GSA.pdf[постоянная мертвая ссылка ].
  8. ^ «Как работает MRAM».
  9. ^ Sbiaa, R .; Meng, H .; Пираманаягам, С. Н. (2011). «Материалы с перпендикулярной магнитной анизотропией для магнитной оперативной памяти». Physica Status Solidi RRL. 5 (12): 413. Bibcode:2011PSSRR ... 5..413S. Дои:10.1002 / pssr.201105420.
  10. ^ Уильям Дж. Галлахер и Стюарт С. П. Паркин, «Разработка MRAM магнитного туннельного перехода в IBM: от первых переходов до 16-мегабайтного демонстрационного чипа MRAM», IBM, 24 января 2006 г.
  11. ^ Раджагопалан Десикан и др., «Встроенная память MRAM как замена физической памяти DRAM с высокой пропускной способностью и низкой задержкой», Департамент компьютерных наук, Техасский университет в Остине, 27 сентября 2002 г.
  12. ^ «Рассмотрение площади, мощности и задержки STT-MRAM для замены основной памяти» (PDF).
  13. ^ «Прошлое, настоящее и будущее MRAM», NIST Magnetic Technology, 22 июля 2003 г.
  14. ^ Кейт Макэлпайн, «Трюк со спин-флипом указывает на самую быструю оперативную память», Новый ученый, 13 августа 2008 г.
  15. ^ Л. Томас и др., S3S 2017
  16. ^ А. В. Хвалковский и др., J. Phys. Д 46, 139601 (2013).
  17. ^ Schäfers, M .; Drewello, V .; Reiss, G .; Thomas, A .; Thiel, K .; Eilers, G .; Münzenberg, M .; Schuhmann, H .; Зайбт, М. (2009). «Электрический пробой в сверхтонких туннельных переходах MgO для переключения крутящего момента с передачей спина». Письма по прикладной физике. 95 (23): 232119. arXiv:0907.3579. Bibcode:2009АпФЛ..95в2119С. Дои:10.1063/1.3272268. S2CID  119251634.
  18. ^ R. Bishnoi et al., Intl. Тестовая конф. 2014, статья 23.3.
  19. ^ Пн-П. Чанг и др., IEEE JSSC 48, 864 (2013).
  20. ^ "Обзор архитектурных подходов к управлению встроенной памятью DRAM и энергонезависимыми встроенными кэшами ", Миттал и др., IEEE TPDS, 2014.
  21. ^ [1].
  22. ^ Февраль 2018, Пол Алкорн 26. «Lenovo использует модули DIMMS 3D XPoint, Apache переходит на ThinkSystem SD650». Оборудование Тома.
  23. ^ а б «Джеймс Доутон, Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM)» (PDF).
  24. ^ «Лаборатория реактивного движения НАСА, статус технологии MRAM» (PDF).
  25. ^ «GMR: гигантский скачок для IBM Research». Архивировано из оригинал на 2012-01-11.
  26. ^ Л. Бергер (октябрь 1996 г.). «Излучение спиновых волн магнитной многослойной оболочкой, через которую проходит ток». Физический обзор B. 54 (13): 9353–9358. Bibcode:1996ПхРвБ..54.9353Б. Дои:10.1103 / Physrevb.54.9353. PMID  9984672.
  27. ^ Slonczewski, J.C. (октябрь 1996 г.). «Текущее возбуждение магнитных многослойных слоев». Журнал магнетизма и магнитных материалов. 159 (1–2): L1 – L7. Bibcode:1996JMMM..159L ... 1S. Дои:10.1016/0304-8853(96)00062-5.
  28. ^ Н.П. Васильева (октябрь 2003 г.), "Магнитные устройства оперативной памяти", Автоматизация и дистанционное управление, 64 (9): 1369–1385, Дои:10.1023 / а: 1026039700433, S2CID  195291447
  29. ^ Штаты 6633498 Соединенные Штаты 6633498, Энгель; Брэдли Н., Янески; Джейсон Аллен, Риццо; Николас Д., "Магниторезистивная оперативная память с уменьшенным полем переключения" 
  30. ^ «Поиск награды NSF: Награда № 0539675 - SBIR, Фаза I: Память с криптографическим ключом, не подверженная вмешательству с нулевым остаточным воздействием». www.nsf.gov.
  31. ^ «Toshiba и NEC разрабатывают самый быстрый в мире MRAM с самой высокой плотностью» (Пресс-релиз). Корпорация NEC. 2006-02-07. Получено 2006-07-10.
  32. ^ «Freescale лидирует в коммерциализации технологии MRAM» (Пресс-релиз). Freescale Semiconductor. 2006-07-10. Архивировано из оригинал на 2007-10-13. Получено 2006-07-10.
  33. ^ Ламмерс, Дэвид (7 октября 2006 г.). "Дебют MRAM указывает на переход памяти". EE Times.
  34. ^ «Прототип энергонезависимой микросхемы ОЗУ объемом 2 Мбит, использующей метод записи крутящего момента с передачей вращения» (Пресс-релиз). Hitachi Ltd. 13 февраля 2007 г.. Получено 2007-02-13.
  35. ^ «IBM и TDK запускают совместный научно-исследовательский проект для усовершенствованной MRAM» (Пресс-релиз). IBM. 2007-08-19. Получено 2007-08-22.
  36. ^ «Toshiba разрабатывает новое устройство MRAM, открывающее путь к гигабитной емкости» (Пресс-релиз). Корпорация Toshiba. 2007-11-06. Получено 2007-11-06.
  37. ^ «NEC разрабатывает самую быструю в мире память MRAM, совместимую со SRAM, с рабочей скоростью 250 МГц» (Пресс-релиз). Корпорация NEC. 2007-11-30. Получено 2007-12-01.
  38. ^ Гринемайер, Ларри. «Японский спутник первым использует магнитную память». Scientific American.
  39. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал на 2008-11-12. Получено 2008-10-01.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  40. ^ Wayback Machine
  41. ^ де ла Мерсед, Майкл Дж. (9 июня 2008 г.). «Производитель микросхем объявит о выделении блока памяти». Нью-Йорк Таймс.
  42. ^ Лапедус, Марк (13 ноября 2008 г.). «Дополнительный продукт Freescale MRAM выпускает новые устройства». EE Times.
  43. ^ [2] В архиве 31 мая 2009 г. Wayback Machine
  44. ^ "Новости | Крокус Технолоджи". Архивировано из оригинал 22 апреля 2010 г.
  45. ^ Джонсон, Р. Колин (16 ноября 2009 г.). «Микросхемы MRAM идут серийно в смарт-счетчики». EE Times.
  46. ^ Рон Уилсон (19 апреля 2010 г.). «Everspin MRAM достигает 16 Мбит, рассчитывает на встроенное использование в SoC». EDN. Архивировано из оригинал 21 января 2013 г.
  47. ^ Дэвид Маннерс (20 апреля 2010 г.). «Everspin запускает 16 Мбит MRAM, объем в июле». Еженедельник электроники.
  48. ^ Мотоюки Ооиси; Nikkei Electronics (23.06.2010). "[VLSI] Hitachi, Tohoku Univ объявляют о многоуровневом спраме ячеек - Tech-On!". Techon.nikkeibp.co.jp. Получено 2014-01-09.
  49. ^ «Чрезвычайно быстрое хранилище данных MRAM в пределах досягаемости» (Пресс-релиз). ПТБ. 2011-03-08. Получено 2011-03-09.
  50. ^ Чарли Демерджян (16 ноября 2012 г.). «Everspin делает ST-MRAM реальностью, LSI AIS 2012: энергонезависимая память со скоростью DDR3». SemiAccurate.com.
  51. ^ "Пресс-релиз Everspin" (PDF). Архивировано из оригинал (PDF) 30 марта 2013 г.
  52. ^ «MRAM с управлением напряжением: состояние, проблемы и перспективы». EE Times.
  53. ^ «Everspin ST-MRAM Incorporated для кэш-памяти в SSD Buffalo Memory». Деловой провод. 2013-11-18. Получено 2014-01-09.
  54. ^ «Прорыв в области магнитных наночастиц может помочь уменьшить объем цифровой памяти». Gizmag.com. Получено 2014-01-09.
  55. ^ [email protected] (27.10.2014). «Everspin и GLOBALFOUNDRIES станут партнером по поставке полностью обработанных 300-миллиметровых CMOS-пластин с технологией Everspin ST-MRAM». ГЛОБАЛЬНЫЕ ФОНДЫ. Получено 2020-08-22.
  56. ^ Ким, Ю-чхоль (20 апреля 2016 г.). «Cheil Worldwide приобретает Founded». Koreatimes.co.kr. Korea Times. Получено 27 июн 2016. «Да, Samsung будет коммерциализировать MRAM и ReRAM в соответствии с нашим собственным графиком. Мы в пути и скоро будем готовы », - сказала Ким репортерам.
  57. ^ «Исследователи отмечают 20-летие изобретения IBM Spin Torque MRAM, демонстрируя масштабируемость на следующее десятилетие - IBM Blog Research». IBM Blog Research. 2016-07-07. Получено 2016-07-11.
  58. ^ Стронг, Скотт (5 августа 1026 г.). «Everspin представляет клиентам первый в отрасли образец памяти MRAM с перпендикулярным крутящим моментом 256 Мб». Обзор SSD.
  59. ^ "Sony объявлена ​​литейным предприятием MRAM для Avalanche". eeNews Аналог. 2016-10-31. Получено 2020-08-22.
  60. ^ «Архивная копия». EE Times. Архивировано из оригинал на 2017-03-03. Получено 2017-03-03.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  61. ^ «Everspin начинает отгружать клиентам образцы своих 28-нм чипов STT-MRAM с пропускной способностью 1 ГБ | MRAM-Info». www.mram-info.com. Получено 2019-12-03.
  62. ^ «Samsung заявляет, что поставляет 28-нм встроенную память MRAM». EE Times.
  63. ^ Администратор (2018-08-06). «UMC и технологический партнер Avalanche в области разработки MRAM и 28-нм производства». Технология лавин. Получено 2020-08-22.

внешняя ссылка