Память компьютера - Computer memory

Память компьютера типы
Общий
Летучий
баран
Исторический
Энергонезависимая
ПЗУ
NVRAM
Ранняя стадия NVRAM
Магнитный
Оптический
В развитии
Исторический
Современное DDR4 SDRAM модуль, обычно встречающийся в настольных компьютерах.

В вычисление, объем памяти относится к устройству, которое используется для хранения информации для немедленного использования в компьютер или связанные компьютерное железо устройство.[1] Обычно это относится к полупроводниковая память, конкретно металл – оксид – полупроводник (MOS) память,[2][3] где данные хранятся в MOS ячейки памяти на кремний Интегральная схема чип. Термин «память» часто является синонимом термина «первичное хранилище ". Компьютерная память работает с высокой скоростью, например оперативная память (RAM), в отличие от место хранения что обеспечивает медленный доступ Информация но предлагает более высокую производительность. При необходимости содержимое памяти компьютера можно перенести в вторичное хранилище;[а] очень распространенный способ сделать это - использовать метод управления памятью, называемый виртуальная память. Архаичный синоним памяти - хранить.[4]

Термин «память», означающий «основное хранилище» илиосновная память ", часто ассоциируется с адресуемым полупроводниковая память, т.е. интегральные схемы, состоящие из кремний -основан МОП транзисторы,[5] используется, например, в качестве основного хранилища, а также для других целей в компьютерах и других цифровой электронный устройств. Есть два основных типа полупроводниковой памяти: летучий и энергонезависимый. Примеры энергонезависимая память находятся флэш-память (используется как вторичное хранилище) и ПЗУ, ВЫПУСКНОЙ ВЕЧЕР, EPROM и EEPROM память (используется для хранения прошивка Такие как BIOS ). Примеры энергозависимая память являются первичным хранилищем, которое обычно динамическая память с произвольным доступом (DRAM) и быстро Кэш процессора память, которая обычно статическая оперативная память (SRAM), быстрый, но энергоемкий, с меньшим объемом памяти поверхностная плотность чем DRAM.

Большая часть полупроводниковой памяти организована в ячейки памяти или же бистабильные шлепанцы, каждый хранит по одному кусочек (0 или 1). Флэш-память Организация включает как один бит на ячейку памяти, так и несколько битов на ячейку (так называемая MLC, многоуровневая ячейка). Ячейки памяти сгруппированы в слова фиксированного длина слова, например 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 или 128 бит. К каждому слову можно получить доступ по двоичному адресу N бит, что позволяет хранить 2, поднятые N слова в памяти. Отсюда следует, что регистры процессора обычно не рассматриваются как память, поскольку они хранят только одно слово и не включают механизм адресации.

История

Деталь задней части секции ENIAC, показывая вакуумные трубки.
8 ГБ microSDHC карта сверху 8 байты из магнитная память (1 ядро 1 кусочек ).

В начале 1940-х годов технология памяти часто допускала емкость в несколько байтов. Первый электронный программируемый цифровой компьютер, то ENIAC, используя тысячи восьмеричных радиостанций вакуумные трубки, мог выполнять простые вычисления с использованием 20 чисел из десяти десятичных разрядов, хранящихся в вакуумной лампе ·

Следующим значительным достижением в области компьютерной памяти стало появление акустических память линии задержки, разработан Дж. Преспер Эккерт в начале 1940-х гг. Благодаря конструкции стеклянной трубки, заполненной Меркурий и подключенные с каждого конца кристаллом кварца, линии задержки могут хранить биты информации в виде звуковых волн, распространяющихся через ртуть, причем кристаллы кварца действуют как преобразователи читать и писать биты. Память линии задержки будет ограничен емкостью до нескольких сотен тысяч бит, чтобы оставаться эффективным.

Две альтернативы линии задержки: Трубка Вильямса и Трубка Selectron, возникшие в 1946 году, оба используют пучки электронов в стеклянных трубках в качестве средств хранения. С помощью электронно-лучевые трубки, Фред Уильямс изобрел трубку Вильямса, которая станет первой оперативная память компьютера. Лампа Вильямса окажется более емкой, чем лампа Selectron (Selectron была ограничена 256 битами, а лампа Williams могла хранить тысячи) и менее дорогой. Тем не менее трубка Вильямса оказалась чрезвычайно чувствительной к нарушениям окружающей среды.

В конце 1940-х годов начались попытки найти энергонезависимая память. Магнитная память позволяет вызвать память после потери питания. Он был разработан Фредериком В. Вие и Ан Ван в конце 1940-х годов и улучшены Джей Форрестер и Ян А. Райчман в начале 1950-х годов, прежде чем они начали коммерциализировать Вихрь компьютер в 1953 году.[6] Память на магнитном ядре станет доминирующей формой памяти до тех пор, пока не появятся MOS полупроводниковая память в 1960-е гг.[7]

Полупроводниковая память началась в начале 1960-х годов с биполярной памяти, которая использовала биполярные транзисторы.[7] Биполярная полупроводниковая память из дискретные устройства был впервые отправлен Инструменты Техаса к ВВС США в 1961 году. В том же году концепция твердое состояние память на Интегральная схема (IC) чип был предложен инженер приложений Боб Норман в Fairchild Semiconductor.[8] Первой микросхемой биполярной полупроводниковой памяти была микросхема SP95, представленная IBM в 1965 г.[7] Хотя биполярная память предлагала более высокую производительность по сравнению с памятью на магнитном сердечнике, она не могла конкурировать с более низкой ценой на магнитный сердечник, которая оставалась доминирующей до конца 1960-х годов.[7] Биполярная память не смогла заменить память на магнитном сердечнике, потому что биполярная резкий поворот схемы были слишком большими и дорогими.[9]

MOS память

Основная статья: MOS память

Изобретение МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник, или МОП-транзистор), Мохамед М. Аталла и Давон Канг в Bell Labs в 1959 г.,[5] дало возможность практического использования металл – оксид – полупроводник (МОП) транзисторы как ячейка памяти элементы хранения. MOS-память была разработана Джоном Шмидтом в Fairchild Semiconductor в 1964 г.[10][11] Помимо более высокой производительности, MOS полупроводниковая память была дешевле и потребляла меньше энергии, чем память на магнитных сердечниках.[10] В 1965 г. Дж. Вуд и Р. Болл из Королевский радар предлагаемые цифровые системы хранения, использующие CMOS (дополнительные MOS) ячейки памяти, в дополнение к MOSFET силовые устройства для источник питания переключаемая поперечная муфта, переключатели и хранение линии задержки.[12] Развитие кремниевый затвор MOS интегральная схема (MOS IC) технология от Федерико Фаггин в Fairchild в 1968 году позволил производить MOS микросхемы памяти.[13] NMOS память была коммерциализирована IBM в начале 1970-х гг.[14] Память MOS обогнала память на магнитных сердечниках и стала доминирующей технологией памяти в начале 1970-х годов.[10]

Два основных типа летучих оперативная память (RAM) являются статическая оперативная память (SRAM) и динамическая память с произвольным доступом (ДРАМ). Биполярный SRAM был изобретен Робертом Норманом в Fairchild Semiconductor в 1963 году.[7] за которым последовала разработка MOS SRAM Джоном Шмидтом в Fairchild в 1964 году.[10] SRAM стала альтернативой памяти с магнитным сердечником, но для каждого требовалось шесть МОП-транзисторов. кусочек данных.[15] Коммерческое использование SRAM началось в 1965 году, когда IBM представила свой чип SP95 SRAM для Система / 360 Модель 95.[7]

Toshiba представила биполярную DRAM ячейки памяти для своего Toscal BC-1411 электронный калькулятор в 1965 г.[16][17] Хотя она предлагала более высокую производительность по сравнению с памятью с магнитным сердечником, биполярная память DRAM не могла конкурировать с более низкой ценой тогдашней доминирующей памяти с магнитным сердечником.[18] Технология MOS является основой современной памяти DRAM. В 1966 г. Роберт Х. Деннард на Исследовательский центр IBM Томаса Дж. Ватсона работал с памятью MOS. Изучая характеристики технологии МОП, он обнаружил, что она способна создавать конденсаторы и что сохранение заряда или отсутствие заряда на МОП-конденсаторе может представлять 1 и 0 бита, в то время как МОП-транзистор может управлять записью заряда в конденсатор. Это привело к его разработке ячейки памяти DRAM с одним транзистором.[15] В 1967 году Деннард подал в IBM патент на ячейку памяти DRAM с одним транзистором, основанную на технологии MOS.[19] Это привело к появлению первого коммерческого чипа DRAM IC, Intel 1103, в октябре 1970 г.[20][21][22] Синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) позже дебютировал с Samsung Микросхема КМ48СЛ2000 1992 г.[23][24]

Термин «память» также часто используется для обозначения энергонезависимая память, конкретно флэш-память. Это происходит из только для чтения памяти (ПЗУ). Программируемая постоянная память (PROM) был изобретен Вен Цин Чоу в 1956 году, работая в подразделении Arma американской корпорации Bosch Arma Corporation.[25][26] В 1967 году Давон Кан и Саймон Зе из Bell Labs предложила, чтобы плавающие ворота МОП полупроводниковый прибор может использоваться для ячейки перепрограммируемого только для чтения памяти (ROM), что привело к Дов Фроман из Intel изобретать EPROM (стираемый PROM) в 1971 году.[27] EEPROM (электрически стираемый PROM) был разработан Ясуо Таруи, Ютакой Хаяши и Киёко Нага в Электротехническая лаборатория в 1972 г.[28] Флэш-память была изобретена Фудзио Масуока в Toshiba в начале 1980-х гг.[29][30] Масуока и его коллеги представили изобретение НЕ мигает в 1984 г.,[31] а потом NAND flash в 1987 г.[32] Toshiba выпустила на рынок флеш-память NAND в 1987 году.[33][34][35]

Развитие технологий и экономия на масштабе сделали возможными компьютеры с так называемой очень большой памятью (VLM).[35]

Энергозависимая память

Различные модули памяти, содержащие разные типы DRAM (сверху вниз): DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM и FPM DRAM
Основная статья: Энергозависимая память

Энергозависимая память - это компьютерная память, которой требуется питание для хранения хранимой информации. Самый современный полупроводник энергозависимая память - это статическая ОЗУ (SRAM ) или динамическое ОЗУ (DRAM ). SRAM сохраняет свое содержимое до тех пор, пока подключено питание, и его проще сопрягать, но при этом используется шесть транзисторов на бит. Динамическое ОЗУ сложнее для взаимодействия и управления, требуя регулярных циклов обновления, чтобы предотвратить потерю своего содержимого, но использует только один транзистор и один конденсатор на бит, что позволяет достичь гораздо более высокой плотности и гораздо более низких затрат на бит.[1][21][35]

SRAM не подходит для системной памяти настольных компьютеров, где DRAM доминирует, но используется для их кэш-памяти. SRAM - обычное дело в небольших встроенных системах, которым могут потребоваться всего несколько десятков килобайт или меньше. К будущим технологиям энергозависимой памяти, которые стремятся заменить SRAM и DRAM или конкурировать с ними, относятся: Z-RAM и A-RAM.

Энергонезависимая память

Твердотельные накопители являются одним из примеров запоминающего устройства.
Основная статья: Энергонезависимая память

Энергонезависимая память - это память компьютера, которая может сохранять сохраненную информацию даже при отключении питания. Примеры энергонезависимой памяти включают постоянную память (см. ПЗУ ), флэш-память, большинство типов магнитных компьютерных запоминающих устройств (например, жесткие диски, дискеты и магнитная лента ), оптические диски и ранние компьютерные методы хранения, такие как бумажная лента и перфокарты.[35]

К будущим технологиям энергонезависимой памяти относятся FERAM, CBRAM, PRAM, STT-RAM, SONOS, RRAM, память о беговой дорожке, NRAM, 3D XPoint, и многоножка память.

Полу-летучая память

Третья категория памяти - «полу-летучая». Этот термин используется для описания памяти, которая имеет ограниченную длительность энергонезависимой памяти после отключения питания, но при этом данные в конечном итоге теряются. Типичная цель при использовании полу-летучей памяти - обеспечить высокую производительность / надежность и т. Д. связаны с энергозависимой памятью, обеспечивая при этом некоторые преимущества настоящей энергонезависимой памяти.

Например, некоторые типы энергонезависимой памяти могут изнашиваться, а «изношенная» ячейка имеет повышенную нестабильность, но в остальном продолжает работать. Таким образом, часто записываемые участки данных можно направить на использование изношенных схем. Пока местоположение обновляется в течение известного времени хранения, данные остаются действительными. Если время удерживания «истекает» без обновления, то значение копируется в менее изношенную схему с более длительным удержанием. Запись в первую очередь в изношенную область обеспечивает высокую скорость записи, избегая при этом износа неизношенных схем.[36]

В качестве второго примера STT-RAM можно сделать энергонезависимым путем создания больших ячеек, но стоимость бита и мощность записи возрастают, а скорость записи снижается. Использование небольших ячеек увеличивает стоимость, мощность и скорость, но приводит к полу-летучему поведению. В некоторых приложениях можно управлять повышенной волатильностью, чтобы обеспечить множество преимуществ энергонезависимой памяти, например, отключив питание, но принудительно активировав до потери данных; или путем кэширования данных, доступных только для чтения, и отбрасывания кэшированных данных, если время отключения превышает энергонезависимый порог.[37]

Термин полу-летучий также используется для описания полу-летучего поведения, созданного на основе других типов памяти. Например, энергозависимая и энергонезависимая память могут быть объединены, при этом внешний сигнал копирует данные из энергозависимой памяти в энергонезависимую память, но если питание отключается без копирования, данные теряются. Или энергозависимая память с резервным питанием от батареи, и если внешнее питание потеряно, существует некоторый известный период, когда батарея может продолжать питать энергозависимую память, но если питание отключено в течение длительного времени, батарея разряжается и данные теряются.[35]

Управление

Основная статья: Управление памятью

Правильное управление памятью жизненно важно для правильной работы компьютерной системы. Современное операционные системы иметь сложные системы для правильного управления памятью. Невыполнение этого требования может привести к ошибкам, снижению производительности и, в худшем случае, захвату власти вирусы и вредоносное ПО.

Практически все, что делают программисты, требует от них размышлений о том, как управлять памятью. Даже для сохранения числа в памяти программист должен указать, как память должна его хранить.

Ошибки

Неправильное управление памятью - частая причина ошибок, включая следующие типы:

  • В арифметическое переполнение, результат вычисления будет больше, чем позволяет выделенная память. Например, 8-битное целое число со знаком позволяет использовать числа от –128 до +127. Если его значение равно 127 и ему дано указание добавить единицу, компьютер не может сохранить число 128 в этом пространстве. Такой случай приведет к нежелательной операции, например к изменению значения числа на -128 вместо +128.
  • А утечка памяти происходит, когда программа запрашивает память у операционной системы и никогда не возвращает память, когда с ней справляется. Программа с этой ошибкой будет постепенно требовать все больше и больше памяти, пока программа не выйдет из строя по мере ее завершения.
  • А ошибка сегментации возникает, когда программа пытается получить доступ к памяти, к которой у нее нет разрешения. Обычно выполняемая таким образом программа будет завершена операционной системой.
  • А переполнение буфера означает, что программа записывает данные в конец выделенного пространства, а затем продолжает запись данных в память, выделенную для других целей. Это может привести к неустойчивому поведению программы, включая ошибки доступа к памяти, неверные результаты, сбой или нарушение безопасности системы. Таким образом, они являются основой многих уязвимостей программного обеспечения и могут быть использованы злонамеренно.

Ранние компьютерные системы

В ранних компьютерных системах программы обычно указывали место для записи в память и какие данные туда помещать. Это место было физическим местом на реальном оборудовании памяти. Медленная обработка таких компьютеров не позволяла использовать сложные системы управления памятью, используемые сегодня. Кроме того, поскольку большинство таких систем были однозадачными, сложных систем не требовалось.

У этого подхода есть свои подводные камни. Если указанное местоположение неверно, это заставит компьютер записать данные в какую-либо другую часть программы. Результат такой ошибки непредсказуем. В некоторых случаях неверные данные могут привести к перезаписи памяти, используемой операционной системой. Компьютерные взломщики могут воспользоваться этим для создания вирусы и вредоносное ПО.

Виртуальная память

Основная статья: Виртуальная память

Виртуальная память - это система, в которой все физическая память управляется операционной системой. Когда программе требуется память, она запрашивает ее у операционной системы. Затем операционная система решает, в каком физическом месте разместить код и данные программы.

Это дает несколько преимуществ. Программистам больше не нужно беспокоиться о том, где физически хранятся их данные или будет ли на компьютере пользователя достаточно памяти. Это также позволяет использовать несколько типов памяти. Например, некоторые данные могут храниться в физических микросхемах ОЗУ, в то время как другие данные хранятся на жесткий диск (например, в файл подкачки ), функционирующая как продолжение иерархия кеша. Это резко увеличивает объем памяти, доступной для программ. Операционная система будет помещать активно используемые данные в физическую оперативную память, которая намного быстрее жестких дисков. Если объема ОЗУ недостаточно для запуска всех текущих программ, это может привести к ситуации, когда компьютер тратит больше времени на перемещение данных из ОЗУ на диск и обратно, чем на выполнение задач; это известно как взбучка.

Защищенная память

Основная статья: Защита памяти

Защищенная память - это система, в которой каждой программе дается область памяти для использования, и ей не разрешается выходить за пределы этого диапазона. Использование защищенной памяти значительно повышает надежность и безопасность компьютерной системы.

Без защищенной памяти возможно, что ошибка в одной программе изменит память, используемую другой программой. Это приведет к тому, что другая программа запустит поврежденную память с непредсказуемыми результатами. Если память операционной системы повреждена, вся компьютерная система может дать сбой, и ее необходимо будет восстановить. перезагружен. Иногда программы намеренно изменяют память, используемую другими программами. Это делается вирусами и вредоносными программами, чтобы захватить компьютеры. Он также может быть использован желательными программами, которые предназначены для модификации других программ; в наше время это обычно считается плохой практикой программирования для прикладных программ, но может использоваться инструментами разработки системы, такими как отладчики, например, для вставки точек останова или перехватчиков.

Защищенная память присваивает программам собственные области памяти. Если операционная система обнаруживает, что программа пыталась изменить память, которая ей не принадлежит, программа завершается (или иным образом ограничивается или перенаправляется). Таким образом, происходит сбой только программы-нарушителя, и неправильное поведение (случайное или намеренное) не влияет на другие программы.

Системы защищенной памяти почти всегда также включают виртуальную память.

Смотрите также

Примечания

  1. ^ Типичные вторичные запоминающие устройства: жесткие диски и твердотельные накопители.

Рекомендации

  1. ^ а б Хеммендингер, Дэвид (15 февраля 2016 г.). «Компьютерная память». Энциклопедия Британника. Получено 16 октября 2019.
  2. ^ «Рынок МОП-памяти» (PDF). Корпорация интегральной схемотехники. Смитсоновский институт. 1997. Получено 16 октября 2019.
  3. ^ «Тенденции на рынке памяти MOS» (PDF). Корпорация интегральной схемотехники. Смитсоновский институт. 1998. Получено 16 октября 2019.
  4. ^ ЯВЛЯЮСЬ. Тьюринг и Р.А. Брукер (1952). Справочник программиста для Manchester Electronic Computer Mark II В архиве 2014-01-02 в Wayback Machine. Манчестерский университет.
  5. ^ а б «1960 - Демонстрация металлооксидного полупроводникового (МОП) транзистора». Кремниевый двигатель. Музей истории компьютеров.
  6. ^ «1953: компьютер Whirlwind представляет основную память». Музей истории компьютеров. Получено 2 августа 2019.
  7. ^ а б c d е ж «1966 год: полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростной памяти». Музей истории компьютеров. Получено 19 июн 2019.
  8. ^ "1953: Транзисторы создают быстрые воспоминания | Механизм хранения | Музей истории компьютеров". www.computerhistory.org. Получено 2019-11-14.
  9. ^ Ортон, Джон В. (2009). Полупроводники и информационная революция: волшебные кристаллы, благодаря которым ИТ произошло. Академическая пресса. п. 104. ISBN  978-0-08-096390-7.
  10. ^ а б c d «1970: MOS Dynamic RAM конкурирует с памятью на магнитных сердечниках по цене». Музей истории компьютеров. Получено 29 июля 2019.
  11. ^ Твердотельный дизайн - Том. 6. Horizon House. 1965 г.
  12. ^ Wood, J .; Болл, Р. (февраль 1965 г.). «Использование полевых транзисторов с изолированным затвором в цифровых системах хранения». 1965 Международная конференция IEEE по твердотельным схемам. Сборник технических статей. VIII: 82–83. Дои:10.1109 / ISSCC.1965.1157606.
  13. ^ «1968: технология кремниевого затвора, разработанная для ИС». Музей истории компьютеров. Получено 10 августа 2019.
  14. ^ Кричлоу, Д. Л. (2007). «Воспоминания о масштабировании MOSFET». Информационный бюллетень IEEE Solid-State Circuits Society. 12 (1): 19–22. Дои:10.1109 / N-SSC.2007.4785536.
  15. ^ а б "DRAM". IBM100. IBM. 9 августа 2017 г.. Получено 20 сентября 2019.
  16. ^ "Спецификация для Toshiba" TOSCAL "BC-1411". Старый веб-музей калькулятора. В архиве из оригинала от 3 июля 2017 г.. Получено 8 мая 2018.
  17. ^ Настольный калькулятор Toshiba "Toscal" BC-1411 В архиве 2007-05-20 на Wayback Machine
  18. ^ «1966 год: полупроводниковые ОЗУ удовлетворяют потребности в высокоскоростной памяти». Музей истории компьютеров.
  19. ^ "Роберт Деннард". Энциклопедия Британника. Получено 8 июля 2019.
  20. ^ «Intel: 35 лет инноваций (1968–2003)» (PDF). Intel. 2003 г.. Получено 26 июн 2019.
  21. ^ а б DRAM-память Роберта Деннарда history-computer.com
  22. ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники. Springer Science & Business Media. С. 362–363. ISBN  9783540342588. I1103 был изготовлен по технологии P-MOS с 6 масками и кремниевым затвором с минимальными характеристиками 8 мкм. Полученный продукт имел размер 2400 мкм, 2 ячейки памяти, размер кристалла чуть меньше 10 мм² и продавался примерно за 21 доллар.
  23. ^ "KM48SL2000-7 Лист данных". Samsung. Август 1992 г.. Получено 19 июн 2019.
  24. ^ «Электронный дизайн». Электронный дизайн. Издательская компания Hayden. 41 (15–21). 1993. Первая коммерческая синхронная память DRAM, Samsung 16-Mbit KM48SL2000, использует однобанковую архитектуру, которая позволяет разработчикам систем легко переходить от асинхронных систем к синхронным.
  25. ^ Хан-Вэй Хуан (5 декабря 2008 г.). Встроенная система проектирования с C805. Cengage Learning. п. 22. ISBN  978-1-111-81079-5. В архиве с оригинала от 27 апреля 2018 г.
  26. ^ Мари-Од Ауфор; Эстебан Зимани (17 января 2013 г.). Бизнес-аналитика: Вторая европейская летняя школа, eBISS 2012, Брюссель, Бельгия, 15-21 июля 2012 г., Учебные лекции. Springer. п. 136. ISBN  978-3-642-36318-4. В архиве с оригинала от 27 апреля 2018 г.
  27. ^ «1971: введено многоразовое полупроводниковое ПЗУ». Музей истории компьютеров. Получено 19 июн 2019.
  28. ^ Tarui, Y .; Hayashi, Y .; Нагаи, К. (1972). «Электрически перепрограммируемая энергонезависимая полупроводниковая память». Журнал IEEE по твердотельным схемам. 7 (5): 369–375. Bibcode:1972IJSSC ... 7..369T. Дои:10.1109 / JSSC.1972.1052895. ISSN  0018-9200.
  29. ^ Фулфорд, Бенджамин (24 июня 2002 г.). "Невоспетый герой". Forbes. В архиве из оригинала 3 марта 2008 г.. Получено 18 марта 2008.
  30. ^ США 4531203  Фудзио Масуока
  31. ^ «Toshiba: изобретатель флэш-памяти». Toshiba. Получено 20 июн 2019.
  32. ^ Масуока, Ф .; Momodomi, M .; Iwata, Y .; Широта Р. (1987). «Новые EPROM сверхвысокой плотности и flash EEPROM с ячейкой структуры NAND». Встреча по электронным устройствам, 1987 г.. IEDM 1987. IEEE. Дои:10.1109 / IEDM.1987.191485.
  33. ^ «1987: Toshiba запускает NAND Flash». eWeek. 11 апреля 2012 г.. Получено 20 июн 2019.
  34. ^ «1971: введено многоразовое полупроводниковое ПЗУ». Музей истории компьютеров. Получено 19 июн 2019.
  35. ^ а б c d е Станек, Уильям Р. (2009). Windows Server 2008 наизнанку. O'Reilly Media, Inc. стр. 1520. ISBN  978-0-7356-3806-8. В архиве из оригинала 27.01.2013. Получено 2012-08-20. [...] Windows Server Enterprise поддерживает кластеризацию с кластерами до восьми узлов и конфигурациями очень большой памяти (VLM) до 32 ГБ в 32-разрядных системах и 2 ТБ в 64-разрядных системах.
  36. ^ Монтьер, Бриггс, Кейтли. «Полу-летучая флеш-память NAND». Получено 20 мая 2018.CS1 maint: несколько имен: список авторов (связь)
  37. ^ Кеппель, Наейми, Насрулла. «Способ и устройство для управления памятью крутящего момента передачи вращения». Патенты Google. Получено 20 мая 2018.CS1 maint: несколько имен: список авторов (связь)

дальнейшее чтение

  • Миллер, Стивен В. (1977), Память и технология хранения, Montvale: AFIPS Press
  • Память и технология хранения, Александрия, Вирджиния: Time Life Books, 1988