T-RAM - Википедия - T-RAM

В нейтралитет этой статьи оспаривается. Соответствующее обсуждение можно найти на страница обсуждения. Пожалуйста, не удаляйте это сообщение, пока условия для этого выполнены. (Март 2017 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения)

Тиристор баран (T-RAM) является разновидностью оперативная память датируется 2009 годом, изобретен и разработан Полупроводник T-RAM, который отличается от обычного дизайна ячейки памяти, объединяя сильные стороны DRAM и SRAM: высокая плотность и высокая скорость^{[нужна цитата ]}. Эта технология, которая использует электрическое свойство, известное как отрицательное дифференциальное сопротивление и называется тонким тиристором с емкостной связью,^[1] используется для создания ячеек памяти, способных к очень высокой плотности упаковки. Благодаря этому память имеет высокую масштабируемость и уже имеет плотность хранения, которая в несколько раз выше, чем в обычной шеститранзисторной памяти SRAM. Ожидалось, что следующее поколение памяти T-RAM будет иметь такую ​​же плотность, как DRAM.^{[кем? ]}.

Эта технология использует электрическое свойство, известное как отрицательный дифференциальный резистор, и характеризуется инновационным способом построения ячеек памяти, сочетающим эффективность DRAM с точки зрения пространства с эффективностью SRAM с точки зрения скорости. Очень похоже на текущую 6T-SRAM, или память SRAM с 6-ячеечными транзисторами, существенно отличается, потому что CMOS-защелка SRAM, состоящая из 4 из 6 транзисторов каждой ячейки, заменена биполярной защелкой PNP -NPN одного тиристора. . В результате значительно уменьшается площадь, занимаемая каждой ячейкой, и, таким образом, получается хорошо масштабируемая память, которая уже достигла плотности хранения, в несколько раз превышающей текущую SRAM.

Тиристор-RAM обеспечивает наилучшее соотношение плотности и производительности между различными встроенными запоминающими устройствами, что соответствует производительности памяти SRAM, но позволяет в 2-3 раза увеличить плотность хранения и снизить энергопотребление. Ожидается, что новое поколение памяти T-RAM будет иметь такую ​​же плотность хранения, как и DRAM.

Похожие материалы

• Память компьютера
• баран
• DRAM
• SDRAM
• Энергозависимая память
• Z-RAM

Рекомендации

внешняя ссылка

• Полупроводник T-RAM
• Описание T-RAM
  • Фарид Немати (T-RAM Semiconductor), Тиристорная RAM (T-RAM): высокоскоростная встроенная память высокой плотности. Технология наномасштабной CMOS / 2007 Hot Chips Conference, 21 августа 2007 г.
• EE Times: GlobalFoundries применяет тиристорную RAM на 32-нм узле
• Semiconductor International: GlobalFoundries представляет план развития 22 нм^{[постоянная мертвая ссылка ]}

Этот компьютер-хранилище -связанная статья является заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это.