Триэтилгаллий - Triethylgallium
 | |
| Имена | |
|---|---|
| Название ИЮПАК триэтилгаллан | |
| Систематическое название ИЮПАК триэтилгаллий | |
| Идентификаторы | |
3D модель (JSmol ) | |
| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.012.939  |
PubChem CID | |
| |
| Характеристики | |
| C6ЧАС15Ga | |
| Молярная масса | 156,9 г / моль |
| Внешность | прозрачная бесцветная жидкость |
| Температура плавления | -82,3 ° С (-116,1 ° F, 190,8 К) |
| Точка кипения | 143 ° С (289 ° F, 416 К) |
| Реагирует[1] | |
| Опасности | |
| Главный опасности | пирофорный |
Если не указано иное, данные для материалов приводятся в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа). | |
| Ссылки на инфобоксы | |
Триэтилгаллий, Ga (C2ЧАС5)3, или же ТЕГА, это металлоорганический источник галлий за эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOVPE) из составные полупроводники.
Характеристики
ТЕГА - прозрачный, бесцветный, пирофорный жидкость[2] и с ним следует обращаться осторожно.
Приложения
TEGa может быть полезной альтернативой триметилгаллий в эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений сложных полупроводников, потому что пленки, выращенные с использованием TEGa, показали более низкую концентрацию примесей углерода.[3]
Рекомендации
- ^ amdg.ece.gatech.edu/msds/mo/teg_epichem.pdf
- ^ Шенаихатхате, Д; Гойетт, Р. Dicarlojr, R; Дриппс, Г. (2004). «Вопросы окружающей среды, здоровья и безопасности для источников, используемых при выращивании сложных полупроводников MOVPE». Журнал роста кристаллов. 272: 816. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2004.09.007.
- ^ Сакслер, А; Уокер, D; Kung, P; Чжан, X; Разеги, М; Соломон, Дж; Митчел, Вт; Vydyanath, H (1997). «Сравнение триметилгаллия и триэтилгаллия для роста GaN» (PDF). Письма по прикладной физике. 71: 3272. Bibcode:1997АпФЛ..71.3272С. Дои:10.1063/1.120310.