Триметилиндий - Trimethylindium

Триметилиндий
Стерео, скелетная формула триметилиндия со всеми неявными атомами водорода.
Шар и палка модель из триметилиндия
Имена
Предпочтительное название IUPAC
Триметилиндий
Систематическое название ИЮПАК
Триметилиндиган[1]
Другие имена
Триметилиндан, триметил индия
Идентификаторы
3D модель (JSmol )
ChemSpider
ECHA InfoCard100.020.183 Отредактируйте это в Викиданных
Номер ЕС
  • 222-200-9
Характеристики
InC
3ЧАС
9
Молярная масса159,922 г моль−1
ВнешностьБелые непрозрачные кристаллы
Плотность1,568 г см−3 (при 20 ° C)
Температура плавления 88 ° С (190 ° F, 361 К)
Точка кипения 134 ° C (273 ° F, 407 K) (разлагается выше 101 ° C (214 ° F, 374 K))
Реагирует
Термохимия
150,5-169,7 кДж моль−1
Опасности
Главный опасностиПирофорный
Пиктограммы GHSGHS02: ЛегковоспламеняющийсяGHS05: Коррозийный
Сигнальное слово GHSОпасность
H250, H260, H261, H314, H318
P210, P222, P223, P231 + 232, P260, P264, P280, P301 + 330 + 331, P302 + 334, P303 + 361 + 353, P304 + 340, P305 + 351 + 338, P310, P321, P335 + 334, P363, P370 + 378, P402 + 404, P405, P422, P501
Если не указано иное, данные для материалов приведены в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
проверитьY проверять (что проверитьY☒N ?)
Ссылки на инфобоксы

Триметилиндий, часто сокращенно TMI или же TMIn, представляет собой органическое соединение с формулой In (CH3)3. Это бесцветный, пирофорный твердый.[2] В отличие от триметилалюминий, но сродни триметилгаллий, TMI - мономерный.[3]

Подготовка

TMI получают по реакции трихлорид индия с метиллитий.[2][4]

InCl3 + 3 LiMe → Я3В.OEt2 + 3 LiCl

Характеристики

В сравнении с триметилалюминий и триметилгаллий, Во мне3 слабее Кислота Льюиса. Образует аддукты со вторичными амины и фосфины.[5] Комплекс с гетероциклическим триазин лиганд (PrяNCH2)3 образует комплекс с 6-координатным In, где углы C-In-C составляют 114 ° -117 ° с тремя длинными связями с тридентатным лигандом с углами N-In-N 48,6 ° и длинными связями In-N 278 пм .[6]

Структура

В газообразном состоянии InMe3 мономерный, с тригональной планарной структурой, а в бензол раствор тетрамерный.[5] В твердом состоянии имеются два полиморфа: тетрагональная фаза, полученная, например, сублимацией, и ромбоэдрическая фаза с более низкой плотностью, обнаруженная в 2005 году.[7] когда InMe3 перекристаллизовано из гексан решение.

В тетрагональной форме InMe3 является тетрамерным, как в растворе бензола, и между тетрамерами есть мостик, образуя бесконечную сеть. Каждый атом индия пятикоординатный, в искаженном тригонально плоский конфигурации, три самые короткие связи (приблизительно 216 пм) находятся в экваториальной плоскости, с более длинными осевыми связями, 308 пм для связей In-C, соединяющих InMe3 единиц для образования тетрамеров и 356 пм для In-C, связывающего тетрамеры в бесконечную сеть.[8] Твердотельные конструкции Игра3 и TlMe3 похожи.[8] Ассоциация в твердом состоянии обеспечивает высокую температуру плавления 89-89,8 ° C по сравнению с триэтилиндий который плавится при -32 ° C.[5]

Ромбоэдрическая форма InMe3 состоит из циклических гексамеров с 12-членным (InC)6 кольца в расширенном конформация стула. Гексамеры связаны в бесконечную сеть. Атомы индия являются пятикоординатными, экваториальные расстояния In-C составляют в среднем 216,7 пм, что почти идентично среднему значению для тетрагональной формы, а осевые связи составляют 302,8 пм, соединяющие InMe.3 единиц в гексамеры и 313,4 пм, соединяющих гексамеры, чтобы сформировать бесконечную сеть.[7]

Приложение к микроэлектронике

Индий входит в состав нескольких составные полупроводники, в том числе как InP, InAs, Гостиница, InSb, GaInAs, InGaN, АлГаИнП, AlInP и AlInGaNP. Эти материалы подготовлены эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOVPE ), а TMI - предпочтительный источник для индий компонент. Высокая чистота TMI (чистота 99,9999% или выше) важна для многих из этих приложений. Для некоторых материалов подвижность электронов достигает 287000 см² / В при 77 К и 5400 см² / В при 300 К, а фоновая концентрация носителей составляет всего 6 × 10.13 см−3.[9][10]

Уравнение давления пара

В давление газа уравнение log P (Торр) = 10.98–3204 / T (K) описывает TMI в широком диапазоне MOVPE условия роста.[11]

Безопасность

TMI - это пирофорный.[12]

Рекомендации

  1. ^ «Триметилиндий - Публичная химическая база данных PubChem». Проект PubChem. США: Национальный центр биотехнологической информации. 27 марта 2005 г. Дескрипторы, вычисленные по структуре. Получено 21 сентября 2011.
  2. ^ а б Брэдли, Д. С .; Chudzynska, H.C .; Хардинг, И. С. (1997). «Триметилиндий и триметилгаллий». Неорганические синтезы. 31: 67–74. Дои:10.1002 / 9780470132623.ch8.
  3. ^ Гринвуд, Норман Н.; Эрншоу, Алан (1997). Химия элементов (2-е изд.). Баттерворт-Хайнеманн. п. 262. ISBN  978-0-08-037941-8.
  4. ^ Соединения основной группы in Inorganic Syntheses, том 31, Schultz, Neumayer, Marks; Под ред. Алан Х. Коули, John Wiley & Sons, Inc., 1997, ISBN  0471152889
  5. ^ а б c CVD сложных полупроводников, синтез прекурсоров, разработка и применение, Энтони С. Джонс, Пол О'Брайен, Джон Уайли и сыновья, 2008 г., ISBN  3527292942
  6. ^ Гринвуд, Норман Н.; Эрншоу, Алан (1997). Химия элементов (2-е изд.). Баттерворт-Хайнеманн. п. 263. ISBN  978-0-08-037941-8.
  7. ^ а б Левински, Януш; Захара, Януш; Старовейский, Казимеж Б .; Юстиняк, Ивона; Липковски, Януш; Бери, Войцех; Крук, Пшемыслав; Возняк, Роберт (2005). «Вторая полиморфная форма триметилиндия: топология супрамолекулярных структур триметилов группы 13». Металлоорганические соединения. 24 (20): 4832–4837. Дои:10.1021 / om050386s. ISSN  0276-7333.
  8. ^ а б Неорганическая химия(2-е издание), Кэтрин Э. Хаускрофт, Алан Г. Шарп, Pearson Education, 2005 г., ISBN  0130399132 , ISBN  978-0130399137
  9. ^ Shenai, Deo V .; Тиммонс, Майкл Л .; Дикарло, Рональд Л .; Лемна, Грегори К .; Стенник, Роберт С. (2003). «Корреляция уравнения давления пара и свойств пленки с чистотой триметилиндия для соединений III – V, выращенных методом MOVPE». Журнал роста кристаллов. 248: 91. Дои:10.1016 / S0022-0248 (02) 01854-7.
  10. ^ Шенай, Деодатта V .; Тиммонс, Майкл Л .; Дикарло, Рональд Л .; Марсман, Чарльз Дж. (2004). «Корреляция свойств пленки и сниженных концентраций примесей в источниках III / V-MOVPE с использованием триметилиндия высокой чистоты и трет-бутилфосфина». Журнал роста кристаллов. 272: 603. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2004.09.006.
  11. ^ Шенай-Хатхате, Деодатта V .; Дикарло, Рональд Л .; Уэр, Роберт А. (2008). «Точное уравнение давления пара для триметилиндия в ОМВПЭ». Журнал роста кристаллов. 310 (7–9): 2395. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2007.11.196.
  12. ^ Химия материалов (2000); Дои:10,1021 / см 990497f

внешняя ссылка