Чи-Тан Сах - Chih-Tang Sah

Чи-Тан "Том" Сах (упрощенный китайский : 萨 支 唐; традиционный китайский : 薩 支 唐; пиньинь : Sà Zhītáng; родился в ноябре 1932 г. в г. Пекин, Китай) Китайско-американский инженер электроники. Он известен прежде всего изобретением CMOS (дополнительный MOS ) логика с Фрэнк Ванласс в Fairchild Semiconductor в 1963 г.^[1] CMOS сейчас используется почти во всех современных очень крупномасштабная интеграция (СБИС) полупроводниковые приборы.^[2]

Он Питтман Выдающийся ученый^[3] и аспирант-исследователь Университет Флориды с 1988 г. Он был профессором физики и профессором электротехники и вычислительной техники, заслуженный, на Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн, где он преподавал 26 лет и привел 40 студентов в Кандидат наук. степень в области электротехника и по физике и 34 РСEE тезисов. На Университет Флориды им защищено 10 докторских диссертаций в EE. Он опубликовал около 280 журнальных статей и представил около 170 приглашенных лекций и 60 статей в Китае, Европе, Японии, Тайване и Соединенных Штатах по физике, технологии и эволюции транзисторов.^[4][5]

Он написал трехтомный учебник «Основы твердотельной электроники» (FSSE 1991), FSSE-Study Guide (1993) и FSSE-Solution Manual (1996). Последний включал 100 страниц описания надежности транзисторов. FSSE был переведен на китайский язык в 2003 году.

биография

Сах - член выдающейся семьи Фучжоу Сах, потомки выдающихся Династия Юань официальный Садула, в Фучжоу Китай. Его отец Пен-Тунг Сах был академиком Academia Sinica и был президентом Сямэньский университет в 1920-1930-е гг.^[6] К.-Т. У Саха также есть брат Чих-Хан Сах, который математик и профессор Государственный университет Нью-Йорка в Стоуни-Брук.^[7]

Сах получил два Б.С. степени в 1953 году в области электротехники и инженерной физики от Университет Иллинойса и РС. и Кандидат наук. градусов от Стэндфордский Университет в 1954 и 1956 годах соответственно. Его докторская диссертация была продолжена. лампы бегущей волны под опекой Карла Р. Спангенберга.

Его промышленная карьера в твердотельная электроника началось с Уильям Шокли в 1956 г. и продолжил Fairchild Semiconductor Корпорация в Пало-Альто с 1959 по 1964 год, пока он не стал профессором физики и электротехники в Университет Иллинойса на 25 лет (1962–1988). Под управлением Гордон Э. Мур, Виктор Гриничич и Роберт Н. Нойс в Fairchild, Сах руководил отделом физики Fairchild, состоящим из 64 человек, по разработке производственных технологий первого поколения (окисление, диффузия, эпитаксия и осаждение тонких пленок из металлических проводников) для массового производства кремниевых биполярных и MOS транзисторы и Интегральная схема технология, включая маскировку оксида для диффузии примесей, стабильная Si МОП-транзистор, CMOS схема, источник низкочастотного шума, модель МОП-транзистора, использованная в первом имитаторе схемы, тонкопленочное интегральное сопротивление и процесс эпитаксии Si для производства биполярных интегральных схем.

После МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник, или МОП-транзистор) был впервые продемонстрирован Мохамед Аталла и Давон Канг из Bell Labs В начале 1960 года Са представил MOS-технологию компании Fairchild Semiconductor с помощью своего MOS-управляемого устройства. тетрод Изготовлен в конце 1960 года.^[8] В 1963 году Сах изобрел CMOS (дополнительная MOS) изготовление полупроводниковых приборов процесс с Фрэнк Ванласс в Fairchild.^[1] CMOS сейчас используется почти во всех современных LSI и СБИС устройств.^[2]

Он был редактором-основателем (1991 г.) Международной серии по достижениям в твердотельной электронике и технологии (ASSET), в которой были опубликованы три названия приглашенных авторов (1990-е годы), и в настоящее время он публикует шесть монографий (2007–2008 гг.) Приглашенных авторов на компакт-дисках. моделирование устройств для автоматизированного проектирования интегральных схем, все с World Scientific Publishing Компания, Сингапур. Его текущее (2007 г.) исследование было посвящено моделям МОП-транзисторов с тех пор, как в октябре 2004 г. его молодые коллеги призвали к ним присоединиться после 40 лет отсутствия после 1964-Sah, 1965-Sah-Pao и 1966-Pao-Sah. журнальные статьи о моделях МОП-транзисторов, чтобы помочь в дальнейшей разработке компактных моделей для автоматизированного проектирования нанометр MOS интегральные схемы.

За вклад в физику и технологию транзисторов он получил премию Браудера Х. Томсона за лучшую работу (IRE-1962) для автора моложе 30 лет. Премия Дж. Дж. Эберса в Electron Devices (1981) и премии Джека Мортона (1989), все из IEEE, то Институт Франклина Почетная грамота, награда за первые достижения в области высоких технологий от Азиатско-американской ассоциации производителей в г. Сан - Хосе, CA (1984) (сореципиент с Моррис Чанг ), Четвертая ежегодная награда за исследования университетов Ассоциации полупроводниковой промышленности (1998 г.), соучастник в области технологии интегральных схем (с Юнг Ченг Фунг) в области биоинженерии и первой награды за признание первопроходцев Комитета 100 (гражданин Китая и США организация), вторая ежегодная награда за выдающиеся заслуги перед американским инженером года азиатско-американского происхождения, спонсируемая Китайским инженерным институтом / США (2003) и Почетный доктор степень от Левенский университет, Бельгия (1975 г.) и почетный доктор Университета Чиаотун, Тайвань, R.O.C. (2004).

Он был указан в опросе Институт научной информации входил в число 1000 самых цитируемых ученых мира в 1963–1978 годах. Он является Товарищ по жизни из Американское физическое общество, то Институт Франклина и IEEE, a Парень из Американская ассоциация развития науки, член США Национальная инженерная академия (1986), Academia Sinica в Тайбэй (1998) и Китайская академия наук в Пекине (2000). Он был назначен почетным профессором Университета Цинхуа (2003 г.), Пекинского университета (2003 г.) и Сямэньского университета (2004 г.) Китая.

Почести и награды

• 2004 г. - почетный доктор Национального университета Цзяо-Дун.^[9]
• 2003 - Награда за выдающиеся заслуги в жизни, Китайский институт инженеров США
• 2002 - Приз за звание первопроходца Комитета 100
• 2000 г. - избран в Китайскую академию наук.
• 1999 - академик, Academia Sinica, Тайвань
• 1999 - Премия за исследования университета Ассоциации полупроводниковой промышленности
• 1998 - Премия за университетские исследования, Ассоциация полупроводниковой промышленности США
• 1995 - член Американской ассоциации продвинутых наук
• 1995 - Стипендиат IEEE Life
• 1994 - Премия выпускников, Иллинойсский университет
• 1989 - Премия Джека Мортона IEEE
• 1986 - избран членом Национальной инженерной академии США.
• 1981 - Премия Дж. Дж. Эберса, IEEE Electron Device Society
• 1975 - Doctoris Honoris Causa, К. У. Левен
• 1975 - Институт Франклина Сертификат качества
• 1971 - сотрудник Американского физического общества
• 1969 - научный сотрудник Института инженеров по электротехнике и электронике
• 1000 самых цитируемых ученых мира, 1865–1978, Институт научной информации

Патенты

• 3 204 160 - Полупроводниковое устройство с контролируемым поверхностным потенциалом, август 1965 г.
• 3280391 - Высокочастотный транзистор, октябрь 1966 г.
• 3243669 - Полупроводниковый прибор с контролируемым поверхностным потенциалом, март 1969 г.
• Подана заявка на патент - Методология DCIV для быстрого определения надежности транзисторов, с А. Нойгрошелем
• 4 343 962 - Солнечная батарея с эмиттерным излучением с высоким уровнем и низким переходом, индуцированная оксидным зарядом, совместно с Дж. Г. Фоссумом, С. К. Пао, Ф. А. Линдхольмом, 1982 г.

Рекомендации