Джон Робертсон (физик) - Википедия - John Robertson (physicist)

Джон Робертсон
Профессор Джон Робертсон FRS.jpg
Джон Робертсон в 2015 году
Родившийся1950 (69–70 лет)[1]
Манчестер[1]
Альма-матерКембриджский университет (Бакалавр, доктор философии)
НаградыФРС (2015)[2]
Научная карьера
Поля
Учреждения
ТезисЭлектронные состояния в аморфных полупроводниках.  (1975)
Интернет сайтeng.cam.ac.Великобритания/ профили/ jr214

Джон Робертсон ФРС[2] (1950 г.р.) - профессор Электроника, в Департамент инженерии на Кембриджский университет. Он является ведущим специалистом в области теории аморфного углерода и родственных ему материалов.[3][4][5]

Образование

Робертсон получил степень бакалавра искусств и доктора философии.[6] степени Кембриджского университета. Его докторская степень была присуждена в 1975 году за исследования по электронные состояния в аморфный полупроводники.[6]

Исследования и карьера

Получив докторскую степень, Робертсон работал в Центральные исследовательские лаборатории электричества на 18 лет,[нужна цитата ] и в 1994 вернулся в Кембридж. Он опубликовал более 600 журнальных статей с примерно 33 000 цитирований.[3] Основная тема его исследований - теория углеродных материалов.[7][8][9][10][11] Другие исследовательские интересы включают: углеродные нанотрубки, графен, химическое осаждение из паровой фазы, электронные приложения (экспериментальные и расчетные); моделирование механизмов ССЗ; углеродные межсоединения, углеродные проводники, углерод для суперконденсаторы; диэлектрики с высоким КП для дополнительных металлооксидные полупроводниковые транзисторы; оксиды с высоким κ на подложках с высокой подвижностью, таких как InGaAs, Ge (моделирование); прозрачные проводящие оксиды, аморфные оксидные полупроводники (AOS), такие как окись индия галлия цинка, их тонкопленочные транзисторы, механизмы нестабильности (расчеты); расчеты функционала плотности полупроводников, оксидов, углеродных материалов и гибридные расчеты функционала плотности для правильного запрещенные зоны; функциональные оксиды, TiO2.[5][4]

Его исследование финансировалось Совет по исследованиям в области инженерных и физических наук (EPSRC).[12]

Награды и награды

Робертсон является членом Американское физическое общество, то Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE) и Общество исследования материалов, и почетный редактор журнала Алмаз и сопутствующие материалы.[13] Он был избран Член Королевского общества (FRS) 2015 г.,[14] его свидетельство об избрании гласит: «В знак признания его постоянного вклада в производство и развитие электронных устройств».[2]

Рекомендации

  1. ^ а б c "РОБЕРТСОН, профессор Джон". Кто есть кто. ukwhoswho.com. 2016 (онлайн Oxford University Press ред.). A&C Black, отпечаток Bloomsbury Publishing plc. (подписка или Членство в публичной библиотеке Великобритании требуется) (требуется подписка)
  2. ^ а б c "Профессор Джон Робертсон FRS". Лондон: Королевское общество. Архивировано из оригинал 2 мая 2015 г.
  3. ^ а б Публикации Джона Робертсона индексируется Scopus библиографическая база данных. (требуется подписка)
  4. ^ а б «Люди в группе« Электронные устройства и материалы »». Кембриджский университет. Архивировано из оригинал 9 октября 2014 г.
  5. ^ а б «Поздравляем профессоров Джона Робертсона и Зубина Гахрамани с их избранием в члены Королевского общества». Кембриджский университет. Архивировано из оригинал 29 мая 2015 г.
  6. ^ а б Робертсон, Джон (1975). Электронные состояния в аморфных полупроводниках (Кандидатская диссертация). Кембриджский университет. OCLC  500550417.
  7. ^ Феррари, А .; Робертсон, Дж. (2000). «Интерпретация рамановских спектров неупорядоченного и аморфного углерода». Физический обзор B. 61 (20): 14095. Bibcode:2000ПхРвБ..6114095Ф. Дои:10.1103 / PhysRevB.61.14095.
  8. ^ Робертсон, Дж. (2002). «Алмазоподобный аморфный углерод». Материаловедение и инженерия: R: Отчеты. 37 (4–6): 129–281. Дои:10.1016 / S0927-796X (02) 00005-0.
  9. ^ Робертсон, Дж. (2000). «Смещения полос широкозонных оксидов и последствия для будущих электронных устройств». Журнал Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 18 (3): 1785. Bibcode:2000JVSTB..18.1785R. Дои:10.1116/1.591472.
  10. ^ Робертсон, Дж. (1986). «Аморфный углерод». Успехи в физике. 35 (4): 317–374. Bibcode:1986AdPhy..35..317R. Дои:10.1080/00018738600101911.
  11. ^ Робертсон, Дж .; О'Рейли, Э. (1987). «Электронно-атомная структура аморфного углерода». Физический обзор B. 35 (6): 2946–2957. Bibcode:1987PhRvB..35.2946R. Дои:10.1103 / PhysRevB.35.2946. PMID  9941778.
  12. ^ «Грант правительства Великобритании на исследования предоставлен Джону Робертсону». Исследовательские советы Великобритании. Архивировано из оригинал 29 мая 2015 г.
  13. ^ Редакционный совет по алмазам и родственным материалам. journals.elsevier.com
  14. ^ "Профессор Джон Робертсон FRS". Лондон: Королевское общество. Архивировано из оригинал 17 ноября 2015 г.