Soitec - Soitec
 | |
| Société Anonyme - SA (французская публичная компания с ограниченной ответственностью) | |
| Торгуется как | Euronext: ТАК ЧТО Я Компонент CAC Mid 60 |
| В | FR0013227113 |
| Основан | 1992 |
| Основатель | Андре-Жак Обертон Эрве и Жан-Мишель Ламур |
| Штаб-квартира | |
Ключевые люди | Поль Будр (генеральный директор и председатель) |
| Продукты |
|
| Доход | 222,9 миллиона евро (2014–2015 годы) |
| Владелец | Широкая общественность (82,666%) BPI France (9,542%) Caisse des Dépôts (3.736%) Андре-Жак Обертон-Эрве (2,302%) Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. (партнер с 1997 года и первый лицензиат Soitec) (1,925%) Семья Обертон-Эрве (0,229%) |
Количество работников | 1149 (31 марта 2015 г.) |
| Интернет сайт | Soitec |
 | эта статья содержит контент, который написан как Реклама. (Январь 2016) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) |
Soitec это Франция международная промышленная компания, специализирующаяся на производстве и производстве высокоэффективных полупроводниковых материалов.
Soitec's полупроводник материалы используются для изготовления чипсы которые оборудуют смартфоны, таблетки, компьютеры, ИТ-серверы и центры обработки данных. Продукция Soitec также используется в электронных компонентах, используемых в автомобилях, подключенных объектах (Интернет вещей), а также в промышленном и медицинском оборудовании.
Флагманский продукт Soitec - это кремний на изоляторе (ТАК ЧТО Я). Материалы, производимые Soitec, представлены в виде подложек (также называемых "вафли "). Они производятся в виде ультратонких дисков диаметром от 200 до 300 мм и толщиной менее 1 мм. Эти пластины затем протравливаются и нарезаются для использования в микрочипы в электронике.
История
Soitec была основана в 1992 году недалеко от г. Гренобль в Франция двумя исследователями из CEA Leti, институт микро- и нанотехнологии исследования, проведенные Французская комиссия по атомной энергии и альтернативным источникам энергии (CEA). Пара разработала Умная резка ™ технологии для индустриализации Кремний на изоляторе (SOI) и построили свое первое производственное предприятие в Бернин, в Изер департамент Франции.
Применяя эту технологию к материалам, отличным от кремния, и развивая дальнейшие процессы, Soitec накопила опыт в области полупроводниковых материалов для рынка электроники.
Предложение Soitec изначально было ориентировано на рынок электроники. В конце 2000-х Soitec запустила солнечная энергия и рынки освещения, используя новые возможности для своих материалов и технологий. В 2015 году компания объявила, что переориентирует свои усилия на основной бизнес: электроника.
В Soitec работает около тысячи человек по всему миру, и в настоящее время у компании есть производственные подразделения во Франции и в других странах. Сингапур. У компании также есть научно-исследовательские центры и коммерческие офисы во Франции, США (Аризона и Калифорния ), Китай, Южная Корея, Япония и Тайвань.
Ключевые даты
- 1963: SOS изобретено в Североамериканская авиация.
- 1965: Первый МЭМС устройство изобретено в Westinghouse.
- 1978: Hewlett Packard разрабатывает СПЭР.
- 1979: NOSC начинает исследование тонкопленочных SOS.
- 1988: NOSC публикует свои выводы SOS.
- 1989: IBM начинает исследование SOI.
- 1990: Peregrine Semiconductor основана.
- 1991: Peregrine Semiconductor начинает коммерциализацию SOS (UltraCMOS).
- 1992: Создание Soitec исследователями из CEA Leti в Гренобле, Франция.
- 1995: Peregrine Semiconductor выпускает свой первый продукт.
- 1995: IBM коммерциализирует SOI.
- 1997: CEA Leti выделяет Tronics Microsystems для коммерциализации SOI MEMS.
- 1997: Soitec переходит на массовое производство после подписания лицензионного соглашения на технологию Smart Cut ™ с Шин Эцу Хандотай (SEH).
- 1999: Строительство первой производственной площадки Soitec в Бернине (Бернин 1) и запуск первичного публичного размещения акций Soitec.
- 2001: IBM представляет технологию RF-SOI
- 2001: CEA Leti и Motorola начать сотрудничество в разработке SOI MEMS с высоким соотношением сторон.
- 2002: OKI поставляет первую коммерческую БИС FD-SOI.
- 2002: Открытие Bernin 2, производственного подразделения Soitec, специализирующегося на пластинах диаметром 300 мм.
- 2003: Soitec приобретает Picogiga International, компанию, специализирующуюся на технологиях для композитных материалов III-V, и это первый набег на материалы, отличные от SOI.
- 2005: Freescale вводит ВРЕД.
- 2006: Soitec приобретает Tracit Technologies, компанию, специализирующуюся на процессах молекулярной адгезии, механического и химического разбавления, что обеспечивает диверсификацию в новых областях применения технологии Smart Cut ™.
- 2008: Soitec открывает производственное предприятие в Азии, в Сингапуре. В 2012 году здесь располагался бизнес по переработке пластин SOI. В 2013 году производство было остановлено на установке, чтобы подготовиться к новой технологии компании «Полностью обедненный кремний на изоляторе» (FD-SOI).
- 2009: Soitec приобретает Concentrix Solar, немецкого поставщика концентраторов фотоэлектрических систем (CPV), Soitec, таким образом, выходит на рынок солнечной энергии.
- 2011: Soitec приобретает Altatech Semiconductor, компанию, специализирующуюся на разработке оборудования для производства полупроводников.
- 2012: Soitec открывает производство модулей CPV в г. Сан Диего, Калифорния, мощностью 140 МВт с возможностью увеличения до 280 МВт.
- 2012: GlobalFoundries и STMicroelectronics подписать договор на поставку 28- и 20-нм устройств FD-SOI. GlobalFoundries согласилась производить пластины для STMicroelectronics, используя CMOS28FDSOI последней. Технология FD-SOI возникла в результате сотрудничества Soitec, ST и CEA Leti.
- 2013: Soitec подписывает лицензионное соглашение Smart Cut ™ с Sumitomo Electric развивать нитрид галлия (GaN) рынок пластин для светодиодного освещения. Подписание еще одного соглашения с GT Advanced Technologies о разработке и коммерциализации оборудования для производства пластин для производства светодиодов и других промышленных приложений.
- 2014: Samsung и STMicroelectronics подписывают литейное и лицензионное соглашение. Это позволяет Samsung использовать технологию FD-SOI для производства 28-нм интегральных схем. Подразделение солнечной энергии Soitec также открывает первые 50% южноафриканских Солнечная электростанция Touwsrivier, который будет иметь окончательную общую мощность 44 МВт. Завод так и не был достроен.
- 2015: Samsung квалифицирует процесс 28FDS.
- 2015: После остановки некоторых важных солнечных проектов в Соединенных Штатах, Soitec объявляет о стратегическом сдвиге в сторону своего бизнеса электроники и о плане выхода из бизнеса солнечной энергии.[1]
- 2015: Peregrine Semiconductor и GlobalFoundries анонсируют в июле первую 300-миллиметровую RF-SOI-платформу (130 нм).
- 2015: GlobalFoundries объявляет в июле о внедрении технологической платформы для производства 22-нм чипов FD-SOI (22FDX).
- 2015: Soitec и Simgui объявляют о первом китайском производстве 200-миллиметровых пластин SOI.
- 2015: CEA Leti демонстрирует МЭМС на пластинах SOI 300 мм.
- 2016: Soitec начинает серийное производство 300-миллиметровых пластин RF-SOI.
- 2017: GlobalFoundries объявляет о 45RFSOI.
- 2017: Samsung анонсирует 18FDS.
- 2017: IBM и GlobalFoundries анонсируют специальный процесс FinFET-on-SOI (14HP).
- 2017: Soitec подписывает пятилетнее соглашение на поставку GlobalFoundries пластин FD-SOI.
- 2018: STMicroelectronics принимает 22FDX от GlobalFoundries.
- 2018: Soitec и MBDA приобрести Интеграция с дельфинами активы.
- 2019: Soitec подписывает крупномасштабное соглашение на поставку Samsung пластин FD-SOI.
- 2019: Soitec приобретает EpiGaN
- 2019: Soitec подписывает крупные соглашения о поставках GlobalFoundries пластин SOI.
- 2020: GlobalFoundries анонсирует платформу 22FDX +.
- 2020: Soitec подписывает многолетнее соглашение на поставку GlobalFoundries пластин RF-SOI 300 мм.
Операции
Исторически Soitec продавала Кремний на изоляторе (КНИ) в качестве высокопроизводительного материала для производства электронных микросхем для компьютеров, игровых консолей и серверов, а также для автомобильной промышленности. С ростом количества мобильных продуктов (планшетов, смартфонов и т. д.) на рынке бытовой электроники Soitec также разработала новые материалы для радиочастота компоненты, мультимедийные процессоры и силовая электроника.
С быстрым ростом Интернет вещей, носимые и других мобильных устройств, возникли новые потребности с точки зрения производительности и энергоэффективности электронных компонентов. Для этого рынка Soitec предлагает материалы, которые помогают снизить потребление энергии чипами, повысить скорость обработки информации и удовлетворить потребности высокоскоростной Интернет.
На рынке солнечной энергии Soitec изготовила и поставила Концентратор фотоэлектрический (CPV) систем с 2009 по 2015 годы. Исследования проводились с целью создания нового поколения солнечные элементы с четырьмя переходами Благодаря этому в декабре 2014 года Soitec установила мировой рекорд с элементом, способным преобразовывать 46% солнечных лучей в электричество. В январе 2015 года Soitec объявила, что покидает рынок солнечной энергии после завершения нескольких важных проектов в области солнечных электростанций.
В индустрии освещения Soitec работает до и после СВЕТОДИОД цепочка значений.
Компания Upstream использует свой опыт в области полупроводниковых материалов для разработки подложек из нитрид галлия (GaN), основной материал, используемый в Светодиоды.
В области переработки и сбыта Soitec развивает ряд промышленных партнерств для коммерциализации новых профессиональных световых решений.[модное слово ] (освещение городской, офисной и транспортной инфраструктуры).
Технологии
Soitec разрабатывает множество технологий для различных секторов своей деятельности.
Smart Cut ™
Разработано CEA-Leti в сотрудничестве с Soitec,[2] эта технология была запатентована исследователем Мишелем Брюэлем.[3] Это делает возможным перенос тонкого слоя монокристаллического материала с донорной подложки на другую за счет сочетания ионной имплантации и связывания посредством молекулярной адгезии. Soitec использует технологию Smart Cut ™ для массового производства пластин SOI. По сравнению с классическим объемным кремнием, SOI позволяет значительно снизить утечку энергии в подложку и улучшить характеристики схемы, в которой он используется.
Smart Stacking ™
Эта технология предполагает перенос частично или полностью обработанных пластин на другие пластины. Его можно адаптировать к пластинам диаметром от 150 до 300 мм, и он совместим с широким спектром подложек, таких как кремний, стекло и сапфир.
Технология Smart Stacking ™ используется для датчиков изображения с задней подсветкой, где она улучшает чувствительность и позволяет уменьшить размер пикселей, а также в радиочастотных схемах смартфонов. Это также открывает новые возможности для 3D-интеграции.
Эпитаксия
Soitec имеет эпитаксия опыт работы с материалами III-IV в следующих областях: молекулярно-лучевая эпитаксия, эпитаксия из газовой фазы металлоорганических соединений и гидридная эпитаксия из паровой фазы. Компания производит вафли из арсенид галлия (GaAs) и нитрид галлия (GaN) для разработки и производства сложных полупроводниковых систем.
Эти материалы используются в Wi-Fi и высокочастотные электронные устройства (мобильная связь, инфраструктурные сети, спутниковая связь, оптоволоконные сети и обнаружение радаров), а также в системах управления энергопотреблением и оптоэлектронных системах, таких как светодиоды.
Финансовые данные
- Выручка за 2014–2015 гг .: 222,9 млн евро
- Консолидированный текущий операционный результат за 2014–2015 гг .: - 277,3 млн евро
- Валовая прибыль 2014–2015 гг .: - 30,8 млн евро
Увеличение капитала
Soitec осуществила три увеличения капитала:
- Первый в июле 2011 года по финансированию инвестиций, особенно для развития своего бизнеса в области солнечной энергетики и светодиодов.
- Второй - в июле 2013 года, чтобы внести вклад в рефинансирование облигаций, конвертируемых и / или обмениваемых на новые или существующие акции («ОКЕАНЫ»), со сроком погашения в 2014 году и укрепление финансовой структуры компании. Кроме того, в сентябре 2013 года Soitec открыла дополнительный выпуск облигаций.
- Третье мероприятие в июне 2014 года, направленное на укрепление финансового положения Soitec и его денежную позицию, а также на поддержку промышленного массового производства субстратов FD-SOI.
внешние ссылки
использованная литература
- ^ «Соитек - Финансовые пресс-релизы». www.soitec.com. Получено 13 ноября 2015.
- ^ "Desions et des hommes" (Ионы и люди), веб-сайт Лети, 29 марта 2013 г.
- ^ Патент № US5374564.