Арсенид алюминия индия - Aluminium indium arsenide

Арсенид алюминия индия, также арсенид алюминия-индия или же AlInAs (Al_ИксВ_1-хВ качестве ), это полупроводниковый материал с почти таким же постоянная решетки в качестве GaInAs, но больший запрещенная зона. В Икс в приведенной выше формуле - число от 0 до 1 - это означает произвольный сплав между InAs и Увы.

Формула AlInAs следует рассматривать как сокращенную форму вышеуказанного, а не какое-либо конкретное соотношение.

Арсенид алюминия-индия используется, например, как буферный слой в метаморфический HEMT транзисторов, где он служит для регулировки разницы постоянных решетки между GaAs субстрат и GaInAs канал. Его также можно использовать для формирования чередующихся слоев с арсенид галлия индия, которые действуют как квантовые ямы; эти структуры используются, например, в широкополосный квантовые каскадные лазеры.

Аспекты безопасности и токсичности

Токсикология AlInAs полностью не исследована. Пыль раздражает кожу, глаза и легкие. Аспекты окружающей среды, здоровья и безопасности источников арсенида алюминия-индия (например, триметилиндий и арсин ) и исследования по мониторингу промышленной гигиены стандартных MOVPE об источниках сообщалось недавно в обзоре.^[1]

Рекомендации