Солнечные элементы на квантовых точках - Википедия - Quantum dot solar cell

Литые солнечные элементы с квантовыми точками, построенные Sargent Group в Университете Торонто. Металлические диски на передней поверхности являются электрическими соединениями с нижележащими слоями.

А квантовая точка солнечного элемента (QDSC) это солнечная батарея дизайн, который использует квантовые точки как поглощающий фотоэлектрический материал. Он пытается заменить сыпучие материалы, такие как кремний, селенид галлия индия меди (CIGS ) или же теллурид кадмия (CdTe ). Квантовые точки имеют запрещенные зоны которые настраиваются в широком диапазоне уровней энергии, изменяя их размер. В сыпучих материалах ширина запрещенной зоны определяется выбором материала (материалов). Это свойство делает квантовые точки привлекательными для многопереходные солнечные элементы, где используются различные материалы для повышения эффективности за счет сбора нескольких порций солнечный спектр.

По состоянию на 2019 год эффективность превышает 16,5%.[1]

Фон

Концепции солнечных батарей

В обычном солнечном элементе свет поглощается полупроводник, создавая электронно-дырочную (e-h) пару; пара может быть связана и называется экситон. Эта пара разделена внутренним электрохимическим потенциалом (присутствует в p-n переходах или Диоды Шоттки ), и возникающий поток электронов и дырок создает электрический ток. Внутренний электрохимический потенциал создается допинг одна часть границы раздела полупроводников с атомами, которые действуют как доноры электронов (легирование n-типа), а другая - с акцепторами электронов (легирование p-типа), что приводит к p-n переход. Для генерации пары e-h требуется, чтобы фотоны имели энергию, превышающую запрещенная зона материала. Фактически фотоны с энергией ниже ширины запрещенной зоны не поглощаются, в то время как фотоны с более высокой энергией могут быстро (в пределах примерно 10−13 s) термализация к краям ленты, снижая производительность. Первое ограничение снижает Текущий, а термализация снижает Напряжение. В результате полупроводниковые элементы страдают от компромисса между напряжением и током (который можно частично уменьшить, используя реализации с несколькими переходами). В подробный расчет баланса показывает, что эта эффективность не может превышать 33%, если использовать один материал с идеальной шириной запрещенной зоны 1,34 эВ для солнечного элемента.[2]

Ширина запрещенной зоны (1,34 эВ) идеального однопереходного элемента близка к ширине запрещенной зоны кремния (1,1 эВ), что является одной из многих причин доминирования кремния на рынке. Однако эффективность кремния ограничена примерно 30% (Предел Шокли – Кайссера ). Можно улучшить ячейку с одним переходом путем вертикального наложения ячеек с различными запрещенными зонами - это называется «тандемным» или «многопереходным» подходом. Тот же анализ показывает, что в двухслойной ячейке один слой должен быть настроен на 1,64 эВ, а другой - на 0,94 эВ, что обеспечивает теоретическую производительность 44%. Трехслойная ячейка должна быть настроена на 1,83, 1,16 и 0,71 эВ с КПД 48%. Ячейка с «бесконечным слоем» будет иметь теоретический КПД 86%, остальное будут учитывать другие механизмы термодинамических потерь.[3]

Традиционные методы получения (кристаллического) кремния не подходят для этого подхода из-за отсутствия возможности настройки ширины запрещенной зоны. Тонкие пленки аморфный кремний, который из-за ослабления требований к сохранению импульса кристалла может обеспечить прямую запрещенную зону и перемешивание углерода, может регулировать запрещенную зону, но другие проблемы не позволяют им соответствовать характеристикам традиционных ячеек.[4] Большинство структур с тандемными ячейками основано на полупроводниках с более высокими характеристиками, в частности арсенид галлия индия (InGaAs). Трехслойные ячейки InGaAs / GaAs / InGaP (ширина запрещенной зоны 0,94 / 1,42 / 1,89 эВ) удерживают рекорд эффективности 42,3% для экспериментальных примеров.[5]

Однако КДСК страдают от слабого поглощения, и вклад поглощения света при комнатной температуре незначителен. Эту проблему можно решить, используя разветвленные нанозвезды Au.[6]

Квантовые точки

Квантовые точки - это полупроводниковые частицы, размер которых меньше размера экситона. Радиус Бора и из-за квантовая механика Соображения, энергии электронов, которые могут существовать в них, становятся конечными, очень похожими на энергии в атоме. Квантовые точки называют «искусственными атомами». Эти уровни энергии можно настраивать, изменяя их размер, который, в свою очередь, определяет ширину запрещенной зоны. Точки можно выращивать в различных размерах, что позволяет им отображать различные запрещенные зоны без изменения основного материала или методов строительства.[7] В типичных приготовлениях влажной химии настройка осуществляется путем изменения продолжительности синтеза или температуры.

Возможность настройки ширины запрещенной зоны делает квантовые точки желательными для солнечных элементов. Для спектра распределения фотонов Солнца предел Шокли-Кайссера указывает, что максимальная эффективность преобразования солнечной энергии происходит в материале с шириной запрещенной зоны 1,34 эВ. Однако материалы с меньшей шириной запрещенной зоны лучше подходят для выработки электричества из фотонов с меньшей энергией (и наоборот). Реализации с одним стыком с использованием сульфид свинца (PbS) коллоидные квантовые точки (CQD) имеют запрещенную зону, которая может быть настроена на дальний инфракрасный диапазон, частоты, которые обычно трудно достичь с помощью традиционных солнечных элементов. Половина солнечной энергии, достигающей Земли, находится в инфракрасном диапазоне, большая часть - в ближнем инфракрасном диапазоне. Солнечный элемент с квантовыми точками делает инфракрасную энергию такой же доступной, как и любая другая.[8]

Более того, CQD легко синтезировать и получать. Будучи взвешенными в коллоидной жидкой форме, с ними легко обращаться на протяжении всего производства, а вытяжной шкаф является наиболее сложным необходимым оборудованием. CQD обычно синтезируются небольшими партиями, но могут производиться серийно. Точки можно распределить на подложке с помощью центрифугирование вручную или в автоматическом режиме. В крупномасштабном производстве можно использовать системы распыления или рулонной печати, что значительно снижает затраты на строительство модулей.

Производство

Ранние примеры использовались дорого молекулярно-лучевая эпитаксия процессы. Однако несоответствие решеток приводит к накоплению деформации и, как следствие, возникновению дефектов, ограничивая количество уложенных слоев. Методика роста капельной эпитаксии показывает свои преимущества при изготовлении бездеформационных КТ.[9] В качестве альтернативы позже были разработаны менее дорогие методы изготовления. Они используют влажную химию (для CQD) и последующую обработку раствора. Концентрированные растворы наночастиц стабилизируются длительным углеводород лиганды которые держат нанокристаллы приостановлено в растворе.

Чтобы создать твердое тело, эти решения сбрасываются[требуется разъяснение ] и длинные стабилизирующие лиганды заменены короткоцепочечными сшивающими агентами. Химическая инженерия поверхности нанокристаллов может лучше пассивировать нанокристаллы и уменьшить нежелательные состояния ловушек, которые могут снизить производительность устройства за счет рекомбинации носителей.[требуется разъяснение ] Такой подход дает эффективность 7,0%.[10]

В более позднем исследовании используются разные лиганды для различных функций путем настройки их относительного выравнивания полос для повышения производительности до 8,6%.[11] Клетки обрабатывали раствором на воздухе при комнатной температуре и без инкапсуляции демонстрировали стабильность на воздухе в течение более 150 дней.

В 2014 году использование йодид в качестве лиганда, который не связывается с кислородом. Это поддерживает стабильные слои n- и p-типа, повышая эффективность поглощения, что обеспечивает эффективность преобразования энергии до 8%.[12]

История

Идея использования квантовых точек в качестве пути к высокой эффективности была впервые высказана Бернхэмом и Дагганом в 1990 году.[13] В то время наука о квантовых точках или «колодцах», как их еще называли, находилась в зачаточном состоянии, и первые примеры только становились доступными.

Усилия DSSC

Другой современный дизайн ячейки - это сенсибилизированный красителем солнечный элемент, или DSSC. DSSC используют губчатый слой TiO
2 в качестве полупроводникового клапана, а также механической опорной конструкции. Во время строительства губка заполняется органическим красителем, обычно рутений -полипиридин, который инжектирует электроны в диоксид титана при фотовозбуждении.[14] Этот краситель относительно дорогой, а рутений - редкий металл.[15]

Использование квантовых точек в качестве альтернативы молекулярным красителям рассматривалось с первых дней исследований DSSC. Возможность настройки ширины запрещенной зоны позволила проектировщику выбрать более широкий спектр материалов для других частей ячейки. Сотрудничающие группы из Университет Торонто и École Polytechnique Fédérale de Lausanne разработали конструкцию на основе заднего электрода, непосредственно контактирующего с пленкой квантовых точек, устраняя электролит и формируя обедненный гетеропереход. Эти элементы достигли КПД 7,0%, что лучше, чем у лучших твердотельных устройств DSSC, но ниже, чем у устройств на основе жидких электролитов.[10]

Многопереходный

Традиционно многопереходные солнечные элементы изготавливаются из множества полупроводниковых материалов. Поскольку каждый материал имеет различную ширину запрещенной зоны, p-n-переход каждого материала будет оптимизирован для различной длины волны входящего света. Использование нескольких материалов обеспечивает поглощение в более широком диапазоне длин волн, что увеличивает эффективность электрического преобразования ячейки.

Однако использование нескольких материалов делает многопереходные солнечные элементы слишком дорогими для многих коммерческих применений.[16] Поскольку запрещенная зона квантовых точек может быть настроена путем регулирования радиуса частицы, многопереходные ячейки могут быть изготовлены путем включения полупроводников с квантовыми точками разного размера (и, следовательно, с другой шириной запрещенной зоны). Использование того же материала снижает производственные затраты,[17] а расширенный спектр поглощения квантовых точек можно использовать для увеличения тока короткого замыкания и общей эффективности ячейки.

Теллурид кадмия (CdTe) используется для ячеек, которые поглощают несколько частот. Коллоидная суспензия этих кристаллов отливается центрифугированием на подложку, такую ​​как тонкое предметное стекло, помещенное в сосуд. проводящий полимер. В этих ячейках не использовались квантовые точки, но были общие с ними функции, такие как спин-литье и использование тонкопленочного проводника. При небольших масштабах производства квантовые точки дороже, чем нанокристаллы массового производства, но кадмий и теллурид редкие и высокотоксичные металлы, подверженные колебаниям цен.

Группа Сарджент[ВОЗ? ] использовал сульфид свинца как инфракрасный -чувствительный донор электронов для производства солнечных элементов ИК-диапазона с рекордной эффективностью. Спин-литье может позволить построить «тандемные» ячейки при значительно меньшей стоимости. В исходных ячейках использовался золото подложка как электрод, хотя никель работает так же хорошо.[18]

Захват горячих носителей

Другой способ повысить эффективность - улавливать дополнительную энергию электрона, испускаемого из материала с одной запрещенной зоной. В традиционных материалах, таких как кремний, расстояние от места эмиссии до электрода, где они собираются, слишком велико, чтобы это могло произойти; электрон будет претерпевать множество взаимодействий с кристаллическими материалами и решеткой, отдавая эту дополнительную энергию в виде тепла. Аморфный тонкопленочный кремний был опробован в качестве альтернативы, но дефекты, присущие этим материалам, превзошли их потенциальное преимущество. Современные тонкопленочные элементы обычно менее эффективны, чем традиционные кремниевые.

Наноструктурированные доноры можно отливать в виде однородных пленок, что позволяет избежать проблем с дефектами.[19] Это может быть связано с другими проблемами, присущими квантовым точкам, в частности с проблемами удельного сопротивления и удержания тепла.

Множественные экситоны

Основная статья: генерация множественных экситонов

Предел Шокли-Кайссера, который устанавливает максимальную эффективность однослойного фотоэлектрического элемента равной 33,7%, предполагает, что только одна электронно-дырочная пара (экситон) может генерироваться на приходящий фотон. Генерация множественных экситонов (MEG) - это путь релаксации экситонов, который позволяет генерировать два или более экситонов на приходящий фотон высокой энергии.[20] В традиционных фотоэлектрических элементах эта избыточная энергия теряется в объеме материала в виде колебаний решетки (электрон-фононная связь). МЭГ возникает, когда эта избыточная энергия передается для возбуждения дополнительных электронов через запрещенную зону, где они могут вносить вклад в плотность тока короткого замыкания.

Внутри квантовых точек квантовое ограничение увеличивает кулоновские взаимодействия, которые управляют процессом МЭГ.[21] Это явление также снижает скорость электрон-фононного взаимодействия, которое является основным методом релаксации экситонов в объемных полупроводниках. Фононное узкое место замедляет скорость охлаждения горячих носителей заряда, что позволяет экситонам следовать другим путям релаксации; это позволяет MEG доминировать в солнечных элементах с квантовыми точками. Скорость МЭГ может быть оптимизирована путем адаптации химии лиганда квантовой точки, а также путем изменения материала и геометрии квантовой точки.

В 2004 г. Лос-Аламосская национальная лаборатория сообщили о спектроскопических доказательствах того, что несколько экситонов могут эффективно генерироваться при поглощении одного энергичного фотона в квантовой точке.[22] Их захват позволит уловить больше энергии солнечного света. В этом подходе, известном как «умножение несущих» (CM) или «множественная экситонная генерация "(MEG), квантовая точка настроена на высвобождение нескольких электронно-дырочных пар с более низкой энергией вместо одной пары с высокой энергией. Это увеличивает эффективность за счет увеличения фототока. Точки LANL были сделаны из селенид свинца.

В 2010 г. Университет Вайоминга продемонстрировали аналогичную производительность с использованием ячеек DCCS. Свинцово-серные (PbS) точки демонстрировали выброс двух электронов, когда входящие фотоны имели примерно в три раза больше энергии запрещенной зоны.[23]

В 2005 году, NREL продемонстрировал МЭГ в квантовых точках, производящий три электрона на фотон и теоретический КПД 65%.[24] В 2007 году они достигли аналогичного результата в кремнии.[25]

Неокисляющий

В 2014 году группа из Университета Торонто изготовила и продемонстрировала тип клетки CQD n-типа с использованием PbS со специальной обработкой, чтобы она не связывалась с кислородом. Ячейка достигла эффективности 8%, что немного меньше текущего рекорда эффективности квантовых точек. Такие ячейки создают возможность нанесения на ячейки без покрытия.[26][27] Однако эти стабильные на воздухе ККТ n-типа фактически были изготовлены в бескислородной среде.

Также в 2014 году другая исследовательская группа в Массачусетском технологическом институте продемонстрировала устойчивые к воздуху солнечные элементы из ZnO / PbS, которые были изготовлены на воздухе и достигли сертифицированной рекордной эффективности 8,55% (9,2% в лаборатории), поскольку они хорошо поглощали свет, а также переносили заряд на коллекторы на край клетки.[28] Эти элементы демонстрируют беспрецедентную устойчивость к воздуху для солнечных элементов с квантовыми точками, так как их характеристики остаются неизменными в течение более 150 дней хранения на воздухе.[11]

Введение на рынок

Коммерческие провайдеры

Хотя солнечные элементы с квантовыми точками еще не стали коммерчески жизнеспособными в массовом масштабе, несколько небольших коммерческих поставщиков начали продавать фотоэлектрические продукты с квантовыми точками. Инвесторы и финансовые аналитики определили фотоэлектрические элементы с квантовыми точками как ключевую технологию будущего для солнечной энергетики.[29]

  • Quantum Materials Corp. (QMC) и дочерняя компания Solterra Renewable Technologies разрабатывают и производят квантовые точки и наноматериалы для использования в солнечной энергии и освещении. Благодаря запатентованному непрерывному процессу производства квантовых точек перовскита,[30] QMC надеется снизить стоимость производства солнечных элементов с квантовыми точками в дополнение к применению своих наноматериалов в других развивающихся отраслях.
  • QD Solar использует преимущества настраиваемой запрещенной зоны квантовых точек для создания многопереходных солнечных элементов. Объединив эффективные кремниевые солнечные элементы с инфракрасными солнечными элементами из квантовых точек, QD Solar стремится использовать больше солнечного спектра. Неорганические квантовые точки QD Solar обрабатываются с помощью высокопроизводительных и экономичных технологий и более устойчивы к свету и воздуху, чем полимерные наноматериалы.
  • UbiQD разрабатывает фотоэлектрические окна с использованием квантовых точек в качестве флуорофоров. Они разработали люминесцентный солнечный концентратор (LSC), использующий квантовые точки ближнего инфракрасного диапазона, который дешевле и менее токсичен, чем традиционные альтернативы. UbiQD надеется предоставить полупрозрачные окна, которые превращают пассивные здания в блоки для выработки энергии, одновременно уменьшая приток тепла в здании.
  • ML System S.A., а BIPV производитель перечислен на Варшавская фондовая биржа намеревается начать массовое производство своей продукции QuantumGlass в период с 2020 по 2021 год.[31][32]

Соображения безопасности

Многие полупроводники с квантовыми точками тяжелых металлов (халькогениды свинца / кадмия, такие как PbSe, CdSe) могут быть цитотоксичными и должны быть заключены в стабильную полимерную оболочку для предотвращения воздействия.[33] Нетоксичные материалы с квантовыми точками, такие как нанокристаллы AgBiS2, были исследованы в связи с их безопасностью и распространенностью; Исследования с солнечными элементами на основе этих материалов продемонстрировали сопоставимые эффективности преобразования и плотности тока короткого замыкания. Материал квантовых точек CuInSe2-X от UbiQD - еще один пример нетоксичного полупроводникового соединения.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Лучшая диаграмма эффективности исследовательских ячеек» (PDF). Национальная лаборатория возобновляемых источников энергии. Национальная лаборатория возобновляемых источников энергии. Получено 25 июля 2019.
  2. ^ Шокли, Уильям; Queisser, Ханс Дж. (1961). «Детализированный предел баланса эффективности солнечных элементов p-n-перехода». Журнал прикладной физики. 32 (3): 510. Bibcode:1961JAP .... 32..510S. Дои:10.1063/1.1736034.
  3. ^ Браун, А; Грин, М. (2002). «Подробный предел баланса для серии ограниченных тандемных солнечных элементов с двумя терминалами». Physica E. 14 (1–2): 96–100. Bibcode:2002PhyE ... 14 ... 96B. Дои:10.1016 / S1386-9477 (02) 00364-8.
  4. ^ Uni-Solar является рекордсменом по использованию трехслойного элемента из a-Si с первоначальным объемом производства 14,9%, но за короткое время он упал до 13%. См. Ян и все, «Солнечный элемент из аморфного кремниевого сплава с тройным переходом с начальной эффективностью преобразования 14,6% и стабильной эффективностью преобразования 13,0%», Письма по прикладной физике, 1997
  5. ^ SPIE Europe Ltd. «Spire подталкивает рекорд солнечных батарей до 42,3%». Optics.org. Получено 2014-06-22.
  6. ^ Ву, Цзян; Ю, Пэн; Суша, Андрей С .; Sablon, Kimberly A .; Чен, Хайюань; Чжоу, Чжихуа; Ли, Хандонг; Джи, Хайнинг; Ню, Сяобинь (01.04.2015). «Повышение эффективности широкополосной связи в солнечных элементах с квантовыми точками в сочетании с многоточечными плазмонными нанозвездами». Нано Энергия. 13: 827–835. Дои:10.1016 / j.nanoen.2015.02.012.
  7. ^ Баскутас, Сотириос; Терзис, Андреас Ф. (2006). «Зависимая ширина запрещенной зоны коллоидных квантовых точек». Журнал прикладной физики. 99 (1): 013708–013708–4. Bibcode:2006JAP .... 99a3708B. Дои:10.1063/1.2158502.
  8. ^ Х. Сарджент, Э. (2005). «Инфракрасные квантовые точки» (PDF). Современные материалы. 17 (5): 515–522. Дои:10.1002 / adma.200401552.
  9. ^ Ю, Пэн; Ву, Цзян; Гао, Лэй; Лю, Хуэйюнь; Ван, Чжимин (2017-03-01). «Солнечные элементы с квантовыми точками InGaAs и GaAs, выращенные методом капельной эпитаксии» (PDF). Материалы для солнечной энергии и солнечные элементы. 161: 377–381. Дои:10.1016 / j.solmat.2016.12.024.
  10. ^ а б ИП, Александр Х .; Тон, Сюзанна М .; Hoogland, Sjoerd; Возный, Александр; Житомирский, Давид; Дебнат, Ратан; Левина, Лариса; Rollny, Lisa R .; Кэри, Грэм Х .; Фишер, Армин; Кемп, Кайл У .; Kramer, Illan J .; Нин, Чжицзюнь; Labelle, André J .; Чоу, Кан Вэй; Амасиан, Арам; Сарджент, Эдвард Х. (2012). «Гибридные пассивированные коллоидные твердые частицы с квантовыми точками». Природа Нанотехнологии. 7 (9): 577–582. Bibcode:2012НатНа ... 7..577И. CiteSeerX  10.1.1.259.9381. Дои:10.1038 / nnano.2012.127. PMID  22842552.
  11. ^ а б Chuang, Chia-Hao M .; Браун, Патрик Р .; Булович, Владимир; Бавенди, Мунги Г. (2014). «Повышение производительности и стабильности солнечных элементов на квантовых точках благодаря технологии выравнивания полос». Материалы Природы. 13 (8): 796–801. Bibcode:2014НатМа..13..796С. Дои:10.1038 / nmat3984. ЧВК  4110173. PMID  24859641.
  12. ^ Митчелл, Марит (09.06.2014). «Новые наночастицы приносят более дешевые и легкие солнечные элементы на открытом воздухе». Rdmag.com. Получено 2014-08-24.
  13. ^ Barnham, K. W. J .; Дагган, Г. (1990). «Новый подход к высокоэффективным многозонным солнечным элементам». Журнал прикладной физики. 67 (7): 3490. Bibcode:1990JAP .... 67.3490B. Дои:10.1063/1.345339.
  14. ^ Б. О’Реган и М. Грацель (1991). "Недорогой и высокоэффективный солнечный элемент на основе сенсибилизированного красителем коллоидного TiO.2 фильмы ». Природа. 353 (6346): 737–740. Bibcode:1991Натура.353..737O. Дои:10.1038 / 353737a0.
  15. ^ Эмсли, Джон (25 августа 2011 г.). Строительные блоки природы: руководство по элементам от А до Я. Издательство Оксфордского университета. С. 368–370. ISBN  978-0-19-960563-7.
  16. ^ Семонин, О. Е., Лютер, Дж. М., и Борода, М. С. (2012). Квантовые точки для фотовольтаики нового поколения. Материалы Сегодня, 15 (11), 508-515. DOI: 10.1016 / s1369-7021 (12) 70220-1
  17. ^ Керестес, К., Полли, С., Форбс, Д., Бейли, К., Поделл, А., Спанн, Дж.,. . . Хаббард, С. (2013). Изготовление и анализ многопереходных солнечных элементов с переходом квантовой точки (In) GaAs. Прогресс в фотогальванике: исследования и приложения, 22 (11), 1172-1179. DOI: 10.1002 / pip.2378
  18. ^ «Разработана новая недорогая конструкция солнечных батарей» В архиве 28 января 2011 г. Wayback Machine, Университет Торонто, 3 августа 2010 г.
  19. ^ Прашант Камат, "Солнечные элементы на квантовых точках: полупроводниковые нанокристаллы как сборщики света", Семинар по нанонауке для преобразования солнечной энергии, 27–29 октября 2008 г., с. 8
  20. ^ Гудвин, Х., Джеллико, Т. К., Дэвис, Н. Дж., И Бём, М. Л. (2018). Генерация множественных экситонов в солнечных элементах на основе квантовых точек. Нанофотоника, 7 (1), 111-126. DOI: 10.1515 / nanoph-2017-0034
  21. ^ Борода, М. С. (2011). Множественная генерация экситонов в полупроводниковых квантовых точках. The Journal of Physical Chemistry Letters, 2 (11), 1282-1288. DOI: 10.1021 / jz200166y
  22. ^ Schaller, R .; Климов, В. (2004). «Высокоэффективное умножение носителей в нанокристаллах PbSe: значение для преобразования солнечной энергии». Письма с физическими проверками. 92 (18): 186601. arXiv:cond-mat / 0404368. Bibcode:2004ПхРвЛ..92р6601С. Дои:10.1103 / PhysRevLett.92.186601. PMID  15169518.
    Эллингсон, Рэнди Дж .; Борода, Мэтью С .; Джонсон, Джастин С.; Ю, Пингронг; Мичич, Ольга И .; Нозик, Артур Дж .; Шабаев Андрей; Эфрос, Александр Л. (2005). «Высокоэффективная генерация множественных экситонов в коллоидных квантовых точках PbSe и PbS» (PDF). Нано буквы. 5 (5): 865–71. Bibcode:2005NanoL ... 5..865E. CiteSeerX  10.1.1.453.4612. Дои:10.1021 / nl0502672. PMID  15884885.
    «Материалы с квантовыми точками могут уменьшить нагрев, повысить электрическую мощность», Пресс-релиз NREL, 23 мая 2005 г.
  23. ^ Джефф Хехт, «Работать на свету вдвое труднее, чтобы производить дешевые солнечные элементы», Корреспондент, 1 октября 2010 г.
  24. ^ Квантовые точки могут повысить фотоэлектрическую эффективность до 65%
  25. ^ «Уникальный квантовый эффект, обнаруженный в нанокристаллах кремния», Пресс-релиз NREL, 24 июля 2007 г.
  26. ^ Боргино, Дарио (10.06.2014). «Прорыв в области квантовых точек может привести к дешевым солнечным элементам, наносимым методом распыления». Gizmag.com. Получено 2014-06-22.
  27. ^ Нин, З .; Возный, О .; Pan, J .; Hoogland, S .; Adinolfi, V .; Xu, J .; Li, M .; Кирмани, А. Р .; Sun, J. P .; Minor, J .; Kemp, K. W .; Dong, H .; Rollny, L .; Labelle, A .; Кэри, G .; Sutherland, B .; Hill, I .; Amassian, A .; Liu, H .; Tang, J .; Бакр, О. М .; Сарджент, Э. Х. (2014). "Воздухоустойчивые коллоидные квантовые точки n-типа". Материалы Природы. 13 (8): 822–828. Bibcode:2014НатМа..13..822Н. Дои:10.1038 / nmat4007. PMID  24907929.
  28. ^ Джеффри, Колин (27 мая 2014 г.). «Новый рекорд эффективности для фотоэлектрических систем с квантовыми точками». Gizmag.com. Получено 2014-06-22.
  29. ^ Чацко, М. (19 июля 2018 г.). 3 диких технологии солнечной энергетики, которые могут обеспечить будущее отрасли. Извлекаются из https://www.fool.com/investing/2018/07/19/3-wild-solar-power-technologies-that-could- secure.aspx
  30. ^ Джонсон, Т. (нет данных). «Обещание этой компании перевернуть ВСЮ отрасль возобновляемых источников энергии с ног на голову». Извлекаются из https://www.stockgumshoe.com/reviews/cutting-edge-the/this-companys-tiny-dots-promi перевернуть всю отрасль возобновляемой энергии с ног на голову /
  31. ^ "ML System zawarła z firmą Servitech umowę wartą 26,7 млн ​​злотых нетто" (по польски). 2019-10-30. Получено 2020-02-06.
  32. ^ "Kolejny krok milowy ML System w ramach projektu Quantum Glass" (по польски). 2019-11-05. Получено 2020-02-06.
  33. ^ Бернчеа, М., Миллер, Н.С., Ксеркавинс, Г., Со, Д., Ставринадис, А., и Констанатос, Г. (2016). Обработанные в растворе солнечные элементы на основе экологически чистых нанокристаллов AgBiS2. Nature Photonics, 10 (8), 521-525. DOI: 10.1038 / nphoton.2016.108

внешняя ссылка